横方向電界を用いたMQW光変調器の検討
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- 電着法による In ドープn-CdTe半導体薄膜の作製と評価
- 60Gbit/s分配選択型WDM/OTDMシステム(WDM/OTDM SECURECAST)における100Mbit/sデータチャネルの選択実験
- InGaN/GaN MQW LEDの応答速度と光学的評価
- InGaN/GaN MQW LEDを用いたプラスチックファイバの光伝送実験
- ゾルゲル法で作製したTi添加LiNbO_3厚膜における電気光学効果
- Preparation and characterization of Eu: Ti codoped LiNbO3 films prepared by the sol-gel method
- ゾルゲル法によるTi:Er:LiNbO_3薄膜の作製と物性評価
- 電界吸収型光変調器を用いた短光パルス生成のモデル化
- 横方向電界を用いたMQW光変調器の検討
- 多重量子井戸構造吸収型光変調器の損失評価
- 高速光変調器の最近の展望
- 最近の高速半導体変調器の展開
- 分配選択型WDM/OTDMシステム(WDM/OTDM SECURECAST)における時チャネルセレクタ
- 電界吸収型光変調器を用いた短光パルス生成のモデル化
- 多重量子井戸構造吸収型光変調器の損失評価
- 電界吸収型光変調器を用いた短光パルス生成のモデル化
- 多重量子井戸構造吸収型光変調器の損失評価