ステンレス管を用いたMgB_2線材におけるアニールの効果
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
Ni層間隔を変化させて作製したMgB_2/Ni多層膜の作製と超伝導特性
-
無容器凝固静電浮遊溶解装置の開発
-
23aPS-48 フラックス法によるNa_xWO_3の単結晶育成
-
静電浮遊溶解装置の開発
-
電子ビーム蒸着法で作製したMgB_2/Ni多層膜の2次元磁束ピンニング特性
-
Bi-2212 ROSATwire を用いた冷凍機伝導冷却ソレノイドマグネットの開発(4)
-
Bi-2212 ROSATwire を用いたソレノイドマグネットの開発(3)
-
3km超平角Bi-2212 ROSAT線材の開発
-
Bi-2212/Ag ROSATwire のJc特性(3)
-
PLD法とポストアニーリングを用いたMgB_2超伝導薄膜の作製
-
酸素気流のない条件下でのBi2212超伝導ウィスカーの合成とその固有ジョセフソン効果
-
MgB_2/B多層膜の作製と超伝導特性
-
組成を変化させて作製したMgB_薄膜の超伝導特性
-
MgB_2/B多層膜のJ_cの磁場依存性
-
プリカーサー・アニール法によって作製したMgB_2薄膜の超伝導特性
-
Ex-situ 法で作製するMgB_2線材の高磁場特性の向上
-
種々のPIT-MgB_2線材における結晶粒間結合性
-
エチルトルエン及びSiC粉末を同時添加した in situ PIT 法MgB_2テープの超電導特性(第二報) : 長尺線作製のための事前熱処理の適用
-
エチルトルエン及びSiC粉末を同時添加した in situ PIT法MgB_2テープの超伝導特性
-
チオフェンを添加した in-situ MgB_2 線材のTEM観察
-
アークプラズマ法で作製した微細Mg粉末を用いた in situ PIT 法MgB_2テープの超電導特性
-
In-situ PIT 法MgB_2テープの芳香族炭化水素添加効果 : 第二報
-
In-situ PIT 法MgB_2テープの芳香族炭化水素添加効果
-
In-situ PIT 法MgB_2テープの芳香族炭化水素添加効果
-
SiC添加MgB_2/(Fe/Cu)線材を用いて作製したコイルの臨界電流特性
-
In-situ PIT 法で作製したMgB_2テープの臨界磁界及び臨界電流密度の熱処理温度依存性
-
二段スタック・Cu安定化Nb_3Al線材の変態処理条件
-
高耐ひずみ安定化Nb_3Al線材の開発
-
RHQT法Nb_3Alラザフォード型ケーブルの事前試作
-
Nb(Al)過飽和固溶体の加工とNb_3Al相組織との関係
-
EBE法によって作製された MgB2/Ni 多層膜の磁束ピンニング特性
-
MgB_2超伝導膜に挿入したNi極薄層のピンニング効果
-
ナノオーダーNi層を導入したMgB_2薄膜の微細組織観察
-
成膜時に酸素を導入したMgB_2薄膜の微細組織
-
ナノ積層構造によるMgB_2薄膜へのピンニングセンターの導入
-
SiCナノ粒子を添加したMgB_2超伝導線材のTEMによる微細構造解析
-
YSZ/Hastelloy 基板上に作製したMgB_2膜の微細組織
-
MgB_2/YSZ/Hastelloy 薄膜の電子顕微鏡観察
-
組成を変化させて作製したMgB_薄膜の超伝導特性
-
電子ビーム蒸着法により作製したMgB_2薄膜のピンニングセンター
-
電子ビーム蒸着法によるMgB_2薄膜の作製とアニール効果
-
28pPSA-43 Er (Ni, M)_2 B_2C (M=Pt, Co)における磁性と超伝導
-
19aPS-53 Li_2Pd_3B超伝導体の低温比熱と圧力効果(領域8ポスターセッション(f電子系等I),領域8(強相関系 : 高温超伝導,強相関f電子系など))
-
遊星型ボールミルを用いて作製したIn-situ-PIT法MgB_2線材の臨界電流密度(その2)
-
微細粉末を用いて作製した in-situ PIT 法MgB_2テープの超電導特性
-
Bi-2212丸線材の組織と臨界電流密度特性
-
ナノサイズMg粉末を用いたMgB_2線材の作製と臨界電流特性
-
Bi2212丸線材の高J_c化のための熱処理方法
-
ナノサイズMg粉末を用いたPIT法MgB_2線材の超電導特性
-
MgB_2線材のI_c-B-T特性
-
プリカーサー・アニール法によるMgB_2多結晶薄膜の作製と特性評価
-
PIT法による線材開発 : 高J_c線材の開発
-
22aPS-103 燃焼合成法による NbB_2 超伝導相の生成
-
In-situ 法MgB_2線材の組織と臨界電流特性
-
Bi-2212/Ag線材のJ_c特性に対する高酸素圧アニール効果
-
ln-situ 法MgB_2線材の臨界電流特性
-
MgB_2新超伝導体の線材開発
-
パウダー・イン・チューブ法によるMgB_2超伝導線材の開発
-
PIT法によるMgB_2線材の加工及び熱処理の検討
-
PIT法MgB_2/ステンレス線材における添加元素の効果
-
Bi-2212/Ag線材における高J_c化のための組織制御
-
パウダー・イン・チューブ法による MgB_2 線材の開発
-
ステンレス管を用いたMgB_2線材におけるアニールの効果
-
MgB_2の線材化
-
特集「最近の超伝導材料」の企画にあたって
-
ex-situ/PIT 法で作製したMgB_2単芯線材の臨界電流特性
-
Cu/SUS316複合シースMgB_2多芯線材の開発
-
PIT法で作製したMgB_2超電導線材及びコイルの臨界電流特性
-
13aPS-120 Li_2Pd_3B 超伝導体の特性(低温 : 超伝導・金属絶縁体転移, 領域 8)
-
ニホウ化マグネシウムで作製した高性能永久電流スイッチ
-
ニホウ化マグネシウムで作製した永久電流スイッチ
-
スパッタリングによるMgB_2薄膜の作製と2段階アニーリング効果
-
27aPS-94 Li_2Pd_3B及びLi_2Pt_3B超伝導体に関する圧力効果(27aPS 領域8ポスターセッション(低温),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
-
25pPSA-75 Li_2Pt_3B超伝導体の比熱と物性(低温,領域8ポスターセッション,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
-
Cu安定化RHQT法Nb_3Al丸線材の開発
-
21aPS-122 Li_2(Pd/Pt)_3B超伝導体の置換効果と物性(21aPS 領域8ポスターセッション(f電子系等および低温),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
-
2p-S-12 FZ法を利用したY-Ni-B-C系の結晶化学的研究
-
Fe-Mg合金基材とB層との反応を利用したMgB_2超伝導テープの作製
-
Cu安定化RHQT法Nb_3Al丸線材の開発(第2報)
-
超伝導線材とその応用
-
誘電体板慴動式チューナブルマイクロ波フィルタの作製
-
伊原英雄氏の逝去を悼んで
-
太刀川先生のIEEE/CSC賞受賞に思う
-
超電導材料の研究開発動向について
-
km級長尺Nb_3Al超電導線材の開発
-
24aPS-76 Li_2Pt_3B超伝導体の比熱と物性(24aPS 領域8ポスターセッション(低温),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
-
Cu/Fe複合シースMgB_2線材の臨界電流特性
-
24aPS-93 Li_2(Pd,Pt)_3B超伝導体の試料評価と物性(24aPS ポスターセッション(低温),領域8(強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など))
-
21aPS-130 空間反転対称性の破れた超伝導体Li_2(Pt_xPd_)_3Bの比熱(領域8ポスターセッション(低温),領域8,強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など)
-
PIT法で作製したMgB_2単芯線材の臨界電流特性
-
MgB_2線材への金属粉末添加効果
-
MgB_2ソレノイドコイルの永久電流モード運転
-
PIT法で作製したMgB_2超電導線材及びコイルの臨界電流特性
-
電子ビーム法で作製したMgB_2薄膜
-
Alテープ上への超伝導MgB_2薄膜の作製と特性評価
-
高温超伝導線材Bi-2223を用いたヒト脳研究用3T-MRI装置の開発(イメージング,統計モデルとその応用,医用画像一般)
-
高温超伝導線材Bi-2223を用いたヒト脳研究用3T-MRI装置の開発
-
Bi,Pb-2223薄膜の熱処理中の微細組織形成過程
-
DCマグネトロンスパッタリング法を用いた(Bi,Pb)2223薄膜の作製
-
寒剤を用いないヒト脳研究用高温超伝導3T-MRI装置の開発
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク