Bi,Pb-2223薄膜の熱処理中の微細組織形成過程
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2012-12-06
著者
-
嶋田 雄介
九州大学大学院総合理工学府
-
北口 仁
物質・材料研究機構
-
松本 明善
物質・材料研究機構
-
波多 聰
九州大学 大学院 総合理工学研究院
-
池田 賢一
九州大学 大学院 総合理工学研究院
-
土井 俊哉
京都大学エネルギー科学研究科
-
中島 英治
九州大学
-
梶原 貴人
九州大学
-
波多 聰
九州大学
-
土井 俊哉
京都大学
-
池田 賢一
九州大学
-
嶋田 雄介
九州大学
関連論文
- Premix-PICT 拡散法で作製したMgB_2超伝導バルク体の臨界電流特性に及ぼす微細組織の影響
- Ni層間隔を変化させて作製したMgB_2/Ni多層膜の作製と超伝導特性
- 異なる組成の仮焼粉で作製したBi2212丸線材の超伝導特性とその組織
- MgB_2線材とその特性 : 第2報
- MgB_2線材とその特性
- ホットプレス法によって作製したMgB_2線材の組織と超伝導特性
- ホットプレス加工による in situ PIT 法MgB_2線材の臨界電流特性向上
- in situ PIT 法MgB_2テープの不純物添加効果
- Premix-PICT 拡散法で作製したMgB_2バルク体のJ_c特性と微細組織
- 内部拡散法により作製したMgB_2線材の構造とJ_c特性
- 6th European Conference on Applied Superconductivity [EUCAS2003]
- 電子ビーム蒸着法で作製したMgB_2/Ni多層膜の2次元磁束ピンニング特性
- Bi-2212 ROSATwire を用いた冷凍機伝導冷却ソレノイドマグネットの開発(4)
- Bi-2212 ROSATwire を用いたソレノイドマグネットの開発(3)
- 3km超平角Bi-2212 ROSAT線材の開発
- Bi-2212/Ag ROSATwire のJc特性(3)
- Bi-2223/金属線複合焼結体の作製
- PLD法とポストアニーリングを用いたMgB_2超伝導薄膜の作製
- MgB_2/B多層膜の作製と超伝導特性
- 組成を変化させて作製したMgB_薄膜の超伝導特性
- プリカーサー・アニール法によって作製したMgB_2薄膜におけるC添加効果
- 等温部分溶融法により作製したBi2212丸線の臨界電流特性(2) : Bi2212コアの不均一性の影響
- MgB_2/B多層膜のJ_cの磁場依存性
- 等温部分溶融法により作製したBi2212丸線の臨界電流特性
- [001]傾角粒界におけるBi2212薄膜の臨界電流特性
- プリカーサー・アニール法によって作製したMgB_2薄膜の超伝導特性
- Ex-situ 法で作製するMgB_2線材の高磁場特性の向上
- 種々のPIT-MgB_2線材における結晶粒間結合性
- MgB_2線材の微細組織に及ぼす炭素系物質添加の影響
- エチルトルエン及びSiC粉末を同時添加した in situ PIT 法MgB_2テープの超電導特性(第三報) : Jc向上の要因及び添加量変化による影響
- エチルトルエン及びSiC粉末を同時添加した in situ PIT 法MgB_2テープの超電導特性(第二報) : 長尺線作製のための事前熱処理の適用
- エチルトルエン及びSiC粉末を同時添加した in situ PIT法MgB_2テープの超伝導特性
- チオフェンを添加した in-situ MgB_2 線材のTEM観察
- アークプラズマ法で作製した微細Mg粉末を用いた in situ PIT 法MgB_2テープの超電導特性
- In-situ PIT 法MgB_2テープの芳香族炭化水素添加効果 : 第二報
- In-situ PIT 法MgB_2テープの芳香族炭化水素添加効果
- In-situ PIT 法MgB_2テープの芳香族炭化水素添加効果
- SiC添加MgB_2/(Fe/Cu)線材を用いて作製したコイルの臨界電流特性
- Cu-Niシース材を用いた in situ PIT 法MgB_2線材の作製
- In-situ PIT 法で作製したMgB_2テープの臨界磁界及び臨界電流密度の熱処理温度依存性
- 二段スタック・Cu安定化Nb_3Al線材の変態処理条件
- 高耐ひずみ安定化Nb_3Al線材の開発
- RHQT法Nb_3Alラザフォード型ケーブルの事前試作
- Nb(Al)過飽和固溶体の加工とNb_3Al相組織との関係
- EBE法によって作製された MgB2/Ni 多層膜の磁束ピンニング特性
- 内部Mg拡散法によるMgB_2線材の作製
- Ex situ PIT 法で作製したA15型超電導線材におけるアニールの効果
- MgB_2超伝導膜に挿入したNi極薄層のピンニング効果
- ナノオーダーNi層を導入したMgB_2薄膜の微細組織観察
- 成膜時に酸素を導入したMgB_2薄膜の微細組織
- ナノ積層構造によるMgB_2薄膜へのピンニングセンターの導入
- SiCナノ粒子を添加したMgB_2超伝導線材のTEMによる微細構造解析
- YSZ/Hastelloy 基板上に蒸着したMgB_2薄膜の微細組織
- YSZ/Hastelloy 基板上に作製したMgB_2膜の微細組織
- MgB_2/YSZ/Hastelloy 薄膜の電子顕微鏡観察
- 組成を変化させて作製したMgB_薄膜の超伝導特性
- Bi-2223/Ag線複合焼結体におけるCIP工程の最適化
- 電子ビーム蒸着法により作製したMgB_2薄膜のピンニングセンター
- 電子ビーム蒸着法によるMgB_2薄膜の作製とアニール効果
- 遊星型ボールミルを用いて作製したIn-situ-PIT法MgB_2線材の臨界電流密度(その2)
- 微細粉末を用いて作製した in-situ PIT 法MgB_2テープの超電導特性
- Bi-2212丸線材の組織と臨界電流密度特性
- ナノサイズMg粉末を用いたMgB_2線材の作製と臨界電流特性
- Bi2212丸線材の高J_c化のための熱処理方法
- ナノサイズMg粉末を用いたPIT法MgB_2線材の超電導特性
- MgB_2線材のI_c-B-T特性
- プリカーサー・アニール法によるMgB_2多結晶薄膜の作製と特性評価
- PIT法による線材開発 : 高J_c線材の開発
- In-situ 法MgB_2線材の組織と臨界電流特性
- Bi-2212/Ag線材のJ_c特性に対する高酸素圧アニール効果
- ln-situ 法MgB_2線材の臨界電流特性
- MgB_2新超伝導体の線材開発
- パウダー・イン・チューブ法によるMgB_2超伝導線材の開発
- PIT法MgB_2/ステンレス線材における添加元素の効果
- Bi-2212/Ag線材における高J_c化のための組織制御
- ステンレス管を用いたMgB_2線材におけるアニールの効果
- MgB_2の線材化
- ex-situ/PIT 法で作製したMgB_2単芯線材の臨界電流特性
- Cu/SUS316複合シースMgB_2多芯線材の開発
- PIT法で作製したMgB_2超電導線材及びコイルの臨界電流特性
- ニホウ化マグネシウムで作製した高性能永久電流スイッチ
- ニホウ化マグネシウムで作製した永久電流スイッチ
- スパッタリングによるMgB_2薄膜の作製と2段階アニーリング効果
- Cu安定化RHQT法Nb_3Al丸線材の開発
- Cu安定化RHQT法Nb_3Al丸線材の開発(第2報)
- km級長尺Nb_3Al超電導線材の開発
- Cu/Fe複合シースMgB_2線材の臨界電流特性
- PIT法で作製したMgB_2単芯線材の臨界電流特性
- MgB_2線材への金属粉末添加効果
- MgB_2ソレノイドコイルの永久電流モード運転
- PIT法で作製したMgB_2超電導線材及びコイルの臨界電流特性
- 電子ビーム法で作製したMgB_2薄膜
- Alテープ上への超伝導MgB_2薄膜の作製と特性評価
- 高温超伝導線材Bi-2223を用いたヒト脳研究用3T-MRI装置の開発(イメージング,統計モデルとその応用,医用画像一般)
- 研究室の外で学べること
- 高温超伝導線材Bi-2223を用いたヒト脳研究用3T-MRI装置の開発
- タイトル無し
- Bi,Pb-2223薄膜の熱処理中の微細組織形成過程
- DCマグネトロンスパッタリング法を用いた(Bi,Pb)2223薄膜の作製
- 寒剤を用いないヒト脳研究用高温超伝導3T-MRI装置の開発