クエン酸を含有する浴からのCu-In合金の電析
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
Electrodeposition of copper, indium and their alloy on titanium substrate from the solution containing citric acid were studied where the effects of copper and citric acid concentrations on the alloy deposition behavior were examined. The polarization curve for either copper or indium shows that, when citric acid is added to the solution, the metal deposition potential becomes less noble and the limiting current density decreases. In the alloy depositon, with the decrease in the copper concentration, the indium deposition potential becomes less noble and the limiting current density decreases. The deposition condition of the stoichiometric alloy, CuIn, depends on the citric acid and copper concentrations as well as the current density. Calculation of ionic equilibria in the solution shows that the formation of CuCit - ion decreases Cu ion concentration and its limiting current density, which explains the experimental result.
- 社団法人 資源・素材学会の論文
- 2000-03-25
著者
-
齋藤 永宏
早大理工
-
不破 章雄
早大理工
-
不破 章雄
早稲田大学 大学院 理工学研究科
-
石崎 貴裕
早稲田大学大学院理工学研究科
-
齋藤 永宏
早稲田大学大学院理工学研究科
-
不破 章雄
早稲田大学理工学部材料工学科
-
不破 章雄
早稲田大学 創造理工学研究科
関連論文
- タンパク質吸着量抑制のためのプラズマグラフト重合によるポリスルホン精密濾過膜の親水化処理
- 非経験的分子軌道法を用いた六塩化ベンゼンの銅クラスターへの吸着構造における理論的解明
- 分子軌道法計算によるダイオキシン前駆物質塩化ベンゼンに対する銅触媒効果の解析
- 非経験的分子軌道法計算によるダイオキシン前駆体物質のベンゼン環開裂反応機構の解明
- 高周波マグネトロンスパッタリング法によるGe-Sb-Te薄膜の作製及び評価
- 非経験的分子軌道法によるフェノールの塩化反応に対する銅の触媒効果解析
- 非経験的分子軌道法計算による炭化水素を用いたNO_x選択還元における白金触媒の効果解析
- 炭化水素を用いたNO_x選択還元におけるPt/Al_2O_3触媒反応優先面の考察
- 量子化学計算によるPCDDsの生成機構の提案及び重金属触媒効果の解析
- 量子化学計算によるMOCVD-ZnTe薄膜形成過程に関する理論的研究
- 非経験的分子軌道法による五酸化バナジウム触媒効果を考慮したベンゼン環開裂過程に関する計算化学的解析
- 非経験的分子軌道法による二酸化炭素リフォーミング反応における炭素析出反応の解析
- 半金属元素の高純度化
- クエン酸浴から電析されたZnTe薄膜のホール効果測定による電気的特性の評価
- ニトリロ三酢酸を添加した塩基性アンモニア浴からのBi_2Te_3電析
- 上吹きガスジェットによるキャビティの形成およびスプラッシュの発生に関するエネルギ-収支解析
- SiF4-NH3系熱CVD法における気相での反応性
- 素材工学における反応速度論的研究
- ポリマー製化学修飾マイクロウエルアレイの作製
- アルミニウム薄膜-金バルク拡散対における相成長ならびに微量カルシウムの相成長への影響
- Ge-Sb-Te系による新規組成の薄膜作製および評価
- BSTOスパッタリングターゲットの熱応力解析
- 酸性浴からのCuIn系合金電析に関する速度論
- ISFシミュレーションモデルによる操業改善
- ISFシュミレーションモデルの開発と操業解析
- ISP溶鉱炉解析法
- ISP溶鉱炉内解析モデルと実操業
- プラズマMOCVDによる固体電解質薄膜の作成とその構造
- Siの塩化によるクロロシラン生成反応の研究
- シリコンの塩化によるクロロシラン生成反応の速度論的研究
- TiCl_2-MgCl_2溶融塩のマグネシウム還元によるチタンの生成
- TiCl_2-MgCl_2溶融塩のマグネシウム還元によるチタン生成研究
- ダイオキシン類の生成・分解挙動に対するSO_2添加効果の熱力学的解釈
- ダイオキシン類の生成・分解挙動に対するSO_2(g)添加効果の熱力学的考察
- 量子化学計算によるダイオキシンの塩化反応に対する金属化合物の触媒効果解析
- 酸性浴でのCu-Te系の拡散支配下における電析に関する研究
- 塩酸浴からのIn-Te系の電析
- Ab initio MO計算によるダイオキシンの塩化反応に関する理論的研究
- クエン酸を含有する浴からのCu-In合金の電析
- Ab initio MO 計算による銅触媒効果を考慮したダイオキシン生成過程に関する理論的研究
- 上方吹き込み製錬におけるエネルギー収支の実験的解析
- 亜鉛溶鉱炉プロセスの操業解析モデル
- 半経験的分子軌道法によるテトラエトキシラン熱CVD反応の理論的解析
- 非経験的分子軌道法に支援されたRRKM理論によるSiH_4(g)→SiH_3(g)+H(g)反応の圧力依存性を伴った速度定数の予測
- 上方吹き込みモデルにおけるコンピューターシミュレーション
- 上方吹き込み製錬におけるエネルギー収支の実験的解析
- ベンゼンを前躯体としたダイオキシン類の均一相合成反応の理論的研究
- 半経験的分子軌道支援による気相ダイオキシン類の熱力学的パラメーターの推算と平衡計算
- 半経験的分子軌道法によるSi_2Cl_6-H_2系CVD反応の素過程の予測
- Si_2H_6-Ar系の熱分解反応機構および圧力依存性を伴った素反応速度定数の理論
- 1次元数学的モデルによるISP溶鉱炉内解析
- 1次元数学的モデルによるISP溶鉱炉内解析
- 小型白熱電球内部における熱及び物質輸送機構の数値解析
- 1.小型白熱電球内部に於ける熱輸送機構及び物質輸送機構の数値解析((1)光源・回路・放電現象[I] : 電球・蛍光ランプ関係)
- Si_2Cl_6から析出させたシリコン薄膜の結晶構造
- Si_2Cl_6から析出させたシリコン薄膜の結晶性評価
- 1000K-1300KにおけるSiCl_2(g)およびSiCl_3(g)のGibbsの標準生成自由エネルギ-変化
- Cu-In合金電析に及ぼすクエン酸の影響
- Cu-In合金電析に関する研究
- Ti上へのCu電析
- 塩基性アンモニア浴からのBi_2Te_3薄膜の電析と熱電特性
- 172nmの真空紫外光照射によるポリメチルメタクリレート表面の化学構造変化の評価
- 銅微細パターン作製のための172nm真空紫外光を用いた液晶ポリマーフィルムの表面改質
- 大気圧-質量分析器によるテトラエトキシラン熱分解反応
- 金めっき膜に対する素地ニッケル結晶面の影響
- 酸性浴からのCu-In-Te系の電析による膜組成の制御
- クエン酸浴からのZn-Te系の電析
- 23pGP-3 スピネル型酸化物FeCr_2O_4のメスバウアー分光(23pGP 酸化物・化合物磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 大気圧-質量分析器によるTEOS熱分解反応に関する研究
- 使用済み石油脱硫触媒からの有価金属(Mo,V,Ni)の回収に関する基礎的研究
- (1) ダイオキシン発生分解挙動への理論的アプローチ(主題 : 素材再生と高温燃焼炉におけるダイオキシン類の挙動)(第 4 回素材再生プロセス研究センター研究懇談会)(素材工学研究会記事)
- 使用済み石油脱硫触媒からの有価金属(Mo, V, Ni)の回収に関する基礎的研究
- 自己組織化材料とバイオミメティック応用
- 27aAF-6 マルチフェロイック酸化物CuFeO_2系のメスバウアー分光(27aAF フラストレーション系(マルチフェロイック・三角格子系),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 19pCD-6 マルチフェロイック酸化物CuFeO_2系のメスバウアー分光II(19pCD マルチフェロイック,領域3(磁性,磁気共鳴))