1000K-1300KにおけるSiCl_2(g)およびSiCl_3(g)のGibbsの標準生成自由エネルギ-変化
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- タンパク質吸着量抑制のためのプラズマグラフト重合によるポリスルホン精密濾過膜の親水化処理
- 非経験的分子軌道法を用いた六塩化ベンゼンの銅クラスターへの吸着構造における理論的解明
- 非経験的分子軌道法によるフェノールの塩化反応に対する銅の触媒効果解析
- 非経験的分子軌道法計算による炭化水素を用いたNO_x選択還元における白金触媒の効果解析
- 非経験的分子軌道法による五酸化バナジウム触媒効果を考慮したベンゼン環開裂過程に関する計算化学的解析
- 非経験的分子軌道法による二酸化炭素リフォーミング反応における炭素析出反応の解析
- クエン酸浴から電析されたZnTe薄膜のホール効果測定による電気的特性の評価
- ニトリロ三酢酸を添加した塩基性アンモニア浴からのBi_2Te_3電析
- 上吹きガスジェットによるキャビティの形成およびスプラッシュの発生に関するエネルギ-収支解析
- ポリマー製化学修飾マイクロウエルアレイの作製
- アルミニウム薄膜-金バルク拡散対における相成長ならびに微量カルシウムの相成長への影響
- Ge-Sb-Te系による新規組成の薄膜作製および評価
- ISFシミュレーションモデルによる操業改善
- ISFシュミレーションモデルの開発と操業解析
- ISP溶鉱炉解析法
- ISP溶鉱炉内解析モデルと実操業
- Siの塩化によるクロロシラン生成反応の研究
- ダイオキシン類の生成・分解挙動に対するSO_2添加効果の熱力学的解釈
- クエン酸を含有する浴からのCu-In合金の電析
- 半経験的分子軌道法によるテトラエトキシラン熱CVD反応の理論的解析
- 非経験的分子軌道法に支援されたRRKM理論によるSiH_4(g)→SiH_3(g)+H(g)反応の圧力依存性を伴った速度定数の予測
- 半経験的分子軌道法によるSi_2Cl_6-H_2系CVD反応の素過程の予測
- 小型白熱電球内部における熱及び物質輸送機構の数値解析
- 1.小型白熱電球内部に於ける熱輸送機構及び物質輸送機構の数値解析((1)光源・回路・放電現象[I] : 電球・蛍光ランプ関係)
- Si_2Cl_6から析出させたシリコン薄膜の結晶構造
- 1000K-1300KにおけるSiCl_2(g)およびSiCl_3(g)のGibbsの標準生成自由エネルギ-変化
- SiHCl3からのシリコン析出速度
- 最近の乾式製錬の進歩と展望
- Cu-In合金電析に及ぼすクエン酸の影響
- Cu-In合金電析に関する研究
- Ti上へのCu電析
- 塩基性アンモニア浴からのBi_2Te_3薄膜の電析と熱電特性
- 172nmの真空紫外光照射によるポリメチルメタクリレート表面の化学構造変化の評価
- 銅微細パターン作製のための172nm真空紫外光を用いた液晶ポリマーフィルムの表面改質
- 大気圧-質量分析器によるテトラエトキシラン熱分解反応
- 金めっき膜に対する素地ニッケル結晶面の影響
- 大気圧-質量分析器によるTEOS熱分解反応に関する研究
- (1) ダイオキシン発生分解挙動への理論的アプローチ(主題 : 素材再生と高温燃焼炉におけるダイオキシン類の挙動)(第 4 回素材再生プロセス研究センター研究懇談会)(素材工学研究会記事)
- 使用済み石油脱硫触媒からの有価金属(Mo, V, Ni)の回収に関する基礎的研究