大阪大学 大学院基礎工学研究科物理系専攻 機能材料デバイス講座 (電子光科学分野担当)奥山研究室
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 1998-11-01
著者
関連論文
- 強誘電体薄膜を用いた誘電ボロメータ型赤外線センサ
- 誘電ボロメータ型赤外線センサアレイ駆動方式の考察
- 誘電ボロメータ型赤外線センサの開発
- BaTi_Sn_xO_3薄膜誘電ボロメータ型赤外線センサの作製と基礎特性
- 5th lnternational Conference on Laser Ablation (COLA'99)国際会議報告
- 大阪大学 大学院基礎工学研究科物理系専攻 機能材料デバイス講座 (電子光科学分野担当)奥山研究室
- 集積化触覚センサ用NiCrゲージ薄膜の抵抗温度係数の低減
- ゾルゲル水熱処理によるPZT膜の低温作製
- Sr_Bi_Ta_2O_9薄膜を用いたMFIS構造の電気的特性
- Sr_1-XBi_, Ta_2O_9薄膜を用いたMFIS構造の電気的特性
- MOD法によるBST薄膜を用いた20GHz帯チューナブル移相器とその360度デジタルPHEMT IC移相器への応用
- MOD法によるBST薄膜を用いた20GHz帯チューナブル移相器とその360度デジタルPHEMT IC移相器への応用(ミリ波技術/一般)
- MOD法によるBST薄膜を用いた20GHz帯チューナブル移相器とその360度デジタルPHEMT IC移相器への応用(ミリ波技術/一般)
- 1T型強誘電体メモリ用MFIS構造のRTA処理による記憶保持特性の改善(物性,成膜,加工,プロセス : 強誘電体薄膜とデバイス応用)
- 強誘電体ゲート電界効果トランジスタメモリーのための強誘電体-絶縁体-半導体構造 : メモリー保持特性の解析と改善
- MFISおよびMIFIS構造のメモリ保持特性の解析
- 誘電ボロメータ方式赤外線センサの開発
- 表面窒化SiO_2バッファ層を有するMFIS構造(新型不揮発性メモリ)
- 表面窒化SiO_2バッファ層を有するMFIS構造
- ゾル-ゲル-水熱処理法による機能性酸化物薄膜の低温作製 : 高集積センサ・アクチュエータ, メモリ用Si ULSIモノリシックプロセスへの展開
- 界面伝導電流を用いた強誘電体ゲートFETメモリの考案(新型不揮発性メモリー)