電子デバイス用基板材料としてのSiC単結晶作製技術の開発
スポンサーリンク
概要
著者
-
高橋 淳
新日本製鐵(株)先端技術研究所
-
大谷 昇
新日本製鐵株式会社先端技術研究所
-
高橋 淳
新日本製鉄株式会社先端技術研究所
-
矢代 弘克
新日本製鉄株式会社先端技術研究所
-
金谷 正敏
新日本製鉄株式会社先端技術研究所
-
金谷 正敏
新日本製鐵株式會社 技術開発本部先端技術研究所半導体基盤研究部
-
勝野 正和
新日本製鐵株式會社 技術開発本部先端技術研究所半導体基盤研究部
-
矢代 弘克
新日本製鐵株式會社 技術開発本部先端技術研究所半導体基盤研究部
-
矢代 弘克
新日鉄 先端技研
-
矢代 弘克
新日本製鐵(株)第1技術研究所
-
大谷 昇
新日本製鐵(株)先端技術研究所
関連論文
- FIBマイクロサンプリング法による高炭素鋼線の3次元アトムプローブ解析
- SiC単結晶成長技術
- SiCバルク単結晶成長の現状 : 化合物(21世紀を担うバルク単結晶)
- 大口径SiC単結晶基板の開発 (ワイドギャップ半導体とそのデバイス応用論文小特集)
- SiCバルク単結晶成長技術の開発動向 (特集 化合物半導体の可能性を再点検する)
- 電子デバイス用基板材料としてのSiC単結晶作製技術の開発
- ワイドギャップ半導体シリコンカ-バイドのバルク単結晶成長
- 58 マイクロ波を用いた炉下部装入物測定技術の開発(高炉モデル, 操業解析 (1)(2), 製銑, 日本鉄鋼協会第 108 回(秋季)講演大会)
- Ti添加低炭素冷延鋼板の再結晶挙動に及ぼす固溶Cの影響(相変態・材料組織)
- 合金元素分布に基づくレール白色層の成因解明
- CrCu添加型窒化処理鋼の3次元アトムプローブ解析
- 3次元アトムプローブによる球状セメンタイトの元素定量解析(分析技術と方法論の最近の進歩)
- Cr及びCu添加型窒化処理鋼の3次元アトムプローブ解析 : Cu添加鋼の窒化熱処理-2
- 窒素添加によるCZ-Si結晶のgrown-in欠陥挙動(シリコン結晶成長における酸素輸送と欠陥制御)
- 赤外レーザー散乱法・干渉法によるシリコン結晶中の微小欠陥の可視化
- 集束イオンビーム技術による透過電子顕微鏡法と関連手法の進歩
- 強伸線加工を施した高炭素鋼線のパーライトラメラ垂直方向からの3DAP観察
- Cu添加鋼の機械的特性に及ぼす添加元素の影響 : Cu添加鋼の窒化熱処理特性-1
- 56 散乱型マイクロ波プローブの開発(高炉モデル, 操業解析 (1)(2), 製銑, 日本鉄鋼協会第 108 回(秋季)講演大会)
- 52 μ波利用の高炉高温帯装入物計測センサ(高炉 (1)(羽口吹込・熱風炉), 高炉 (2)(装入物分布・ガス流れ), 製銑, 日本鉄鋼協会第 107 回(春季)講演大会)
- 129 高炉溶銑流の解析 : 炉床銑滓流制御に関する研究 6(高炉操業, 製銑, 日本鉄鋼協会第 104 回(秋季)講演大会)
- V，Cuの単独ならびに複合添加中炭素鋼の析出挙動