大口径SiC単結晶基板の開発 (ワイドギャップ半導体とそのデバイス応用論文小特集)

スポンサーリンク

概要

論文の詳細を見る
SiCバルク単結晶成長技術の最近の進展について述べた。SiC半導体は, パワーデバイス, 耐環境デバイス用半導体材料として古くから注目されていたが, バルク単結晶成長が困難なことから, その実用化が長年阻害されてきた。しかしながらここ数年, バルク単結晶成長技術が格段に進歩し, SiC単結晶の大型化, 高品質化が実現された。現在, このバルク単結晶を基板として, 高品質のエピタキシャル薄膜成長や高性能のデバイス試作が精力的に行われている。本論文では, SiCバルク単結晶成長技術を紹介し, その現状と今後の課題について触れる。
社団法人電子情報通信学会の論文
1998-01-25

著者

関連論文

スポンサーリンク