オ-ジェ電子分光分析法
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 日本分析化学会の論文
- 1995-04-05
著者
関連論文
- TOF-SIMSによるUV照射したフォトレジスト表面の化学構造変化の評価
- TOF-SIMSによるバイオセンサ基板上のタンパク質分布の評価
- バイオ関連評価におけるTOF-SIMSの可能性
- 最適化された低エネルギー一次イオン照射下におけるTOF-SIMSサンプリング深さの極浅化
- 酸素プラズマ処理ポリプロピレンフィルムとアルミニウム蒸着薄膜との接着性 -はく離界面の構造-
- 電子線が絶縁物に与える帯電とその補償
- 酸素ガスジェットを用いた固体表面のX線光電子分光測定(表面・界面・薄膜と分析化学)
- 表面積分析技術の環境汚染測定への応用
- 金属表面分析法の発展とその応用-2-2次イオン質量分析法
- SIMSによる最近の分析と顕微法
- TOF-SIMS法の最近の進歩
- TOF-SIMS : サブミクロン領域からの分子構造情報を取得
- 固体表面の分析法
- 硝酸塩,硫酸塩などからのGa・1次イオンTOF-SIMSフラグメントパターン
- Ga ・ 1次イオン TOF-SIMS による有機化合物の存在確認
- 最新の表面分析技術
- オージェ電子分光法を用いた表面汚染粒子分析とTOF-SIMSによる表面有機汚染評価
- 二,三の合成高分子化合物のTOF-SIMSフラグメントパターンの推定
- 金属塩化物ならびに酸化物からのGa・1次イオンTOF-SIMSフラグメントパターンの推定
- 300mm欠陥レビューSAM (特集 半導体歩留り向上を支援する評価・検査技術)
- スタティックSIMS : TOF-SIMSを中心として
- 極表層におけるホウ素のSIMS定量分析
- TOF-SIMSによりポリメタクリル酸メチル(PMMA)表面から得られた二次イオン強度の解析
- 表面分析技術 6. 二次イオン質量分析法(SIMS)
- オ-ジェ電子分光法を用いた半導体試料の分析
- 酸素プラズマ処理によってPPフィルム上に生成するWBLについて
- TOF-SIMS, Q-SIMS, XPSによるイオン照射に伴う有機材料表面の状態変化の解析
- 二次イオン質量分析法(SIMS)による表面分析技術--TOF-SIMSを中心として (〈特集〉最近の表面・界面の評価技術)
- SIMSによる高感度分析例 (特集 材料の高純化のための微量元素の分析と解析)
- TOF-SIMS法による固体表面分析(1)--基本技術と特徴的な測定例
- XPSにおける粉末固定法とその評価
- TOF-SIMSによる高密度記録対応HDの測定評価技術 (特集2 ハードディスクドライブ)
- オ-ジェ電子分光分析法
- オ-ジェ電子分光分析