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Ntt 物性科学基礎研 | 論文
- GaAs分子線成長における仕事関数の走査電子顕微鏡によるその場測定
- SEMその場観察によるGaAsMBE成長における穴の異方的挙動と三次元島の優先核形成
- 走査電子顕微鏡その場観察によるGaAs分子線成長三次元化機構の解析
- GaAsの分子線成長における三次元成長の開始過程の走査電子顕微鏡その場観察
- GaAsの分子線成長における二次元成長・三次元成長転移の走査電子顕微鏡その場観察
- GaAsの分子線成長における成長中断時の挙動の走査電子顕微鏡その場観察
- 化合物半導体の分子線エピタキシャル成長過程の走査電子顕微鏡その場観察
- 光子の量子テレポーテーション入門 (特集 光技術の極限をめざして)
- スイッチする光学活性ポリシラン
- 情報技術(IT)を支える超多重スイッチ・超高密度記録デバイス材料の実現に向けて
- ポリ(アルキル-アルコキシフェニルシラン)分子分散、凝集体における円二色誘起、スイッチ、メモリ特性
- 27aYE-5 量子エラーを含むShorのアルゴリズムのシミュレーション(量子エレクトロニクス(量子情報),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 15aTF-5 密度行列繰り込み群による Shor のアルゴリズムのシミュレーション(量子エレクトロニクス, 領域 1)
- 28pXG-5 波動関数のテンソル積分解を用いた量子計算機シミュレータ(量子エレクトロニクス(量子情報理論))(領域1)
- Al_2O_3/Si_3N_4薄層絶縁ゲートをもつチャネルドープAlGaN/GaNヘテロ構造FET(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- 25pWS-4 SiC(0001)表面上のエピタキシャルグラフェン島の原子構造と磁気電気効果(25pWS 領域9,領域7合同 グラフェン,領域9(表面・界面,結晶成長))
- ECRプラズマ成膜SiN,Al_2O_3ナノマスクを利用した低転位GaNの成長(ナノ構造・エピ成長分科会特集「窒化物半導体エピタキシャル成長における基板の役割」の再考)
- [Invited]Npn型窒化物半導体ヘテロ接合バイポーラトランジスタ(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)
- [Invited]Npn型窒化物半導体ヘテロ接合バイポーラトランジスタ(AWAD2003(先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ))
- 選択成長を用いたGaN/InGaNヘテロ接合バイポーラトランジスタにおける高い電流利得(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
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