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Ntt物性科学基礎研究所 | 論文
- 位置制御自己組織化成長法による三次元周期半導体構造
- InAs/GaAs(110)へテロ界面におけるミスフィット転位形成と成長モードの関係
- 半導体格子不整合系におけるエピタキシャル成長の理論的研究 : マクロスコピックな成長過程とミクロスコピックな機構との関係 : 結晶成長の理論(21世紀を拓く薄膜結晶成長)
- 半導体格子不整合系でのエピタキシー成長とミスフィット転位 : 成長界面III
- SC-8-3 自己組織化量子ドット形成におけるミスフィット転位の影響
- 27p-T-12 InAs/GaAs(110)ヘテロ界面におけるミスフィット転位の電子構造III
- 1p-YB-1 蛋白質ナノチューブにおけるプロトンの挙動
- シリコンとhigh-kゲート絶縁膜の界面の高分解能RBS/ERD分析(シリコン関連材料の作製と評価)
- 酸素雰囲気アニール中のHfO_2/SiO_2/Si(001)界面反応の高分解能RBS観察(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 単結晶グラフェン基板の創製に向けたSiC上エピタキシャル少数層グラフェンの層数解析
- エピタキシャル・グラフェンの走査プローブ顕微鏡による物性評価
- 29pYA-2 長距離相互作用を持つスピン系と結合したスピンキュービットの緩和現象
- B-10-94 アレイ導波路格子(AWG)と位相フィルタとを用いた40Gbit/s, 16ch-WDM用分散スロープ補償器
- 01aB11 GaN/GaN(001)における成長初期過程の理論検討(半導体エピ(2),第36回結晶成長国内会議)
- 26aZE-7 三次元光格子中Bose-Fermi混合原子気体のself-trapping効果(量子エレクトロニクス(Fermi粒子系,及びBose-Fermi混合系の理論),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
- CI-2-3 シリコン細線光導波路における光非線形現象とその応用(CI-2.シリコンフォトニクス:ビルディングブロック開発からアプリケーション構築へのステップアップ,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画)
- 30pTX-9 スピン閉塞状態での過渡現象(30pTX 量子ドット(結合系とスピン),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- シリコン細線導波路を用いた量子もつれ光子対発生 (特集 新世代通信を拓くシリコンフォトニクス技術)
- 24aWH-6 異なるg因子をもつ2重量子ドットにおけるスピン依存共鳴トンネル(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 量子情報・物理
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