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Nec 基礎研 | 論文
- 電磁浮遊法を用いた過冷却状態を含むシリコン融液の表面張力測定 : 融液成長(シリコン関連) I
- 30nmゲート長EJ-MOSFETの作製
- ペタフロップスコンピュータとSFQ技術
- 原子線ホログラフィー
- 26a-O-6 Ba_2YCu_3O_結晶の双晶と表面ステップ
- C-8-10 受動線路で接続されたSFQ回路の高速動作実験
- 1P1-10-028 ETS-vII におけるアンテナ結合機構応用実験
- 技術解説 集束イオンビームを用いた立体ナノ構造形成技術
- 集束イオンビームによる超微細立体構造形成技術(荷電ビームを応用する加工と計測)
- 高温超伝導体へのイオン・電子ビ-ム照射効果
- 電子ビーム露光技術の現状と展望
- シリコンメルト液柱内の対流構造 : 融液成長(シリコン関連) I
- ナノメータ微細加工技術の現状と展望
- 31a-A-5 超伝導単一電子箱における量子コヒーレント振動の観測
- 電子ビーム描画技術の現状と将来
- INFOMAXによる視覚野細胞GABOR型受容野の導出
- 25a-PS-75 Ti_2Ba_2Cuo_6における正方晶、斜方晶構造
- 機械的はく離法で作成した六方晶系窒化ホウ素(hBN)薄膜の評価
- 5a-Y-13 Tl_2Ba_2CuO_6の超伝導特性
- SFQLSIの高性能化に向けた受動配線の研究 : 現状と今後の課題