スポンサーリンク
Nec 基礎研 | 論文
- 28p-YB-2 冷却中性原子ホログラフィー
- 30a-C-1 カーボン・ナノチューブの生成機構と構造
- 熱物性分科会報告
- 分子エレクトロニクスの基盤技術(6)カーボンナノチューブトランジスタ
- カーボンナノチューブの抵抗評価と合成
- カーボンナノチューブトランジスタ
- カーボンナノチューブの高性能トランジスタへの応用
- CS-6-4 カーボンナノチューブ(CS-6.ナノデバイスのための薄膜・材料技術-有機と無機/金属から絶縁体-あらゆる可能性を求めて,エレクトロニクス2)
- 水素終端されたSi(100)表面上に自己形成される"分子ワイヤー"
- 27pZ-12 金属原子を内包した水素化Siクラスターの成長
- 28p-ZF-4 水素化金属-シリコンクラスターイオン : MSi_nH_X^+(M=Ta, W, Re)の成長
- 25p-YE-2 水素化Siクラスターイオン:Si_nH_x^+(n>10)の成長
- 31a-D-4 グラファイト表面の電子ビーム加熱による変化
- 27p-J-12 フラーレン、カーボン・ナノチューブの合成と生成機構
- D-6-9 ペタフロップススケールコンピューティングのためのSFQネットワーク
- 電子線励起表面反応による3次元ナノ構造形成
- 電子ビーム励起表面反応を用いたナノメータエッチング
- 塩素吸着Si(111)7×7でのSTMによる原子サイズの表面構造形成
- STMによる極微細加工技術
- STMによる微細加工