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NTT物性基礎研究所 | 論文
- 高品質AlN上に成長したGaN-free UV-LED(AlN結晶成長シンポジウム)
- AlGaN系紫外発光ダイオード(紫外発光材料の現状と将来)
- AlGaN系紫外発光ダイオード : 紫外線発光の現状と将来シンポジウム
- SC-7-10 GaN系ヘテロ構造の電気伝導特性とFET特性
- GaN系ヘテロ構造の電気伝導特性およびFET静特性
- ファセット成長による半導体形状制御の研究 (特集論文 ファセットレ-ザ)
- 超低消費パワーで集積可能な光ビットメモリ--フォトニック結晶をプラットフォームとする光集積技術
- フォトニック結晶と光メモリ (特集 光メモリーとその周辺技術)
- シリコンフォトニック結晶共振器を用いた全光スイッチ及び 5GHz RZ(Return to Zero) 光パルス列変調
- フォトニック結晶デバイス (特集 フォトニック結晶ファイバと周辺技術)
- シリコンフォトニック結晶共振器を用いた全光スイッチおよび 5GHz RZ (Return to Zero) 光パルス列変調
- シリコンフォトニック結晶導波路における光カー効果 : 四光波混合光の発生(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
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- シリコンを用いた2次元フォトニック結晶スラブ構造の新展開
- フォトニック結晶による全光スイッチとディジタル光処理 (特集 NTT物性科学基礎研究所における光研究最前線)
- フォトニック結晶導波路・共振器の高性能化 (特集 NTT物性科学基礎研究所における光研究最前線)
- CS-8-4 フォトニック結晶共振器・導波路結合系による超低エネルギー全光スイッチ及び全光メモリデバイス(CS-8. ナノスケール光集積回路技術の展望, エレクトロニクス1)
- 低損失フォトニック結晶スラブ導波路の作製・評価と解析(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 低損失フォトニック結晶スラブ導波路の作製・評価と解析(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 超高Qナノ共振器によるスローライト生成
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