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NTTフォトニクス研究所,日本電信電話株式会社 | 論文
- 動作電流密度2mA/μm^2以上で高信頼性を有するレッジ付きInP HBT(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般)
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- InP HBTとデジタルICsの高温通電による特性変動の相関(電子デバイスの信頼性と半導体表面・界面制御・評価)
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- C-10-2 InP HBT を用いた 10Gbit/s RZ 変調器ドライバ
- 111 Gb/s/ch CSRZ-DQPSK符号と拡張L帯光増幅器を用いた14Tb/s大容量伝送実験((フォトニック)IPネットワーク技術,(光)ノード技術,WDM技術,一般)
- 111Gb/s/ch CSRZ-DQPSK符号と拡張L帯光増幅器を用いた14Tb/s大容量伝送実験
- 多相クロックアーキテクチャによる1.7 W 50 Gbit/s InP HEMT 4:1 マルチプレクサIC
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- フェムト秒レーザによる石英系平面型光波回路の低損失導波路インターコネクション技術(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
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- C-10-15 共鳴トンネルダイオードを用いたMOBILEの動作速度解析
- 共鳴トンネルHEMTを用いたMMIC逓倍器
- 共鳴トンネルHEMTを用いたMMIC逓倍器
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- 共鳴トンネルダイオード/HEMT集積回路技術
- A-5-6 光CDMAにおける拡散符号方式の検討(A-5.ワイドバンドシステム,一般講演)
- A-5-43 CDMAを用いた光マルチチャンネルアクセス技術の検討(A-5.ワイドバンドシステム,一般講演)
- C-2-12 デジタルフィルタを用いたDDS
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