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NECシステムデバイス研究所 | 論文
- 900MHz帯高効率Si MOS MMICパワーアンプ
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- 携帯電話用Si Power MOSFETの高効率化
- 携帯電話用Si Power MOSFETの歪み特性
- Power MOSFETの相互変調歪み特性における電源回路の影響
- 隣接チャネル漏洩電力の解析
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- 512KbクロスポイントセルMRAM(MRAM,不揮発メモリ,メモリ,一般)
- 磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)
- スピントンネル素子を用いた1 bit MRAMの検討
- 超伝導論理回路の高速動作実証のためのクロック・ドリブン・オンチップ・テスト
- CS-3-2 動的プリディストーション技術を用いたWCDMA用低歪電力増幅器(CS-3.マイクロ波トランジスタ高出力増幅器の現状と今後の展開,シンポジウム)
- C-4-34 SOA変調器集積外部共振器型波長可変レーザの2.5Gbps-360kmフルバンド伝送特性(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- C-4-30 液晶チューナブルミラーを用いた高出力・広帯域外部共振器型波長可変レーザモジュール(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス(波長可変レーザ), エレクトロニクス1)
- 広帯域波長可変レーザ・モジュールの最近の進展(光部品・電子デバイス実装技術, 一般)
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- C-4-23 広波長域ディチューニシグ制御を可能としたEA変調器集積化マイクロアレイ波長選択光源
- マイクロアレイ技術によるWDM用波長選択光源