スポンサーリンク
Jst‐presto Saitama Jpn | 論文
- 29pPSA-27 Si(111)水素終端表面上に蒸着された金クラスターのSTM観察
- Measurements of Electroluminescence Intensity Distribution in the Direction of Gate Width of n^+ Self-Aligned Gate GaAs Metal-Semiconductor Field-Effect Transistors
- 20pYD-6 ZnSe 薄膜中における積層欠陥の光誘起成長(TEM 内光照射その場観察)
- 20aPS-4 MBE 法による ZnSe ナノホイスカーの成長
- Medium Scale Integrated Circuits Using Carbon Nanotube Thin Film Transistors
- High-Performance Top-Gate Carbon Nanotube Field-Effect Transistors and Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Inverters Realized by Controlling Interface Charges
- A Delta-Sigma Analog-to-Digital Converter Using Resonant Tunneling Diodes(Semiconductors)
- 20pXA-7 金シリサイド液滴形成条件下にある表面の高温 STM 観察
- Optoelectronic Flexible-Function Logic Gate Using Monostable-Bistable Transition of Serially Connected Resonant Tunneling Transistors
- Two-Dimensional Cyclic Bias Device Simulator and Its Application to GaAs HJFET Pulse Pattern Effect Analysis (Special Issue on TCAD for Semiconductor Industries)
- 27pTJ-15 高濃度に不純物を添加したゲルマニウム結晶中での転位の挙動(そのII)(27pTJ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 27pTJ-14 高濃度ボロン添加シリコンにおける銅析出物の研究(27pTJ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 27pTJ-19 ZnO中のプリズム面上転位の光学特性(27pTJ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 27pTJ-17 低温堆積GaNバッファ層の結晶化初期段階における成長方位の変化(27pTJ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- Photoluminescence Study of Resonant Tunneling Transistor with p^+/n-Junction Gate
- 自己組織化作用によるシリコン表面ナノ穴形成 (連載技術特集 よく分かるナノテクノロジー(2)ナノ加工)
- 27pYC-10 シリコン表面ナノホールのexcavationメカニズム
- 23pTA-11 多形シリコンナノワイヤー
- 25pY-6 GaPの点欠陥移動における表面効果
- 24pY-14 シリコン表面ナノホールの光物性
スポンサーリンク