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Fujitsu laboratories LTD. | 論文
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- Controlling Polarization of 1.55-μm Columnar InAs Quantum Dots with Highly Tensile-Strained InGaAsP Barriers on InP(001)
- Automatically-Controlled C-Band Wavelength Conversion with Constant Output Power Based on Four-Wave Mixing in SOA's(Lasers, Quantum Electronics)
- Temperature-Insensitive Eye-Opening under 10-Gb/s Modulation of 1.3-μm P-Doped Quantum-Dot Lasers without Current Adjustments
- Control of In_xGa_As Capping Layer Induced Optical Polarization in Edge-Emitting Photoluminescence of InAs Quantum Dots
- A Resonant-Tunneling Bipolar Transistor (RBT) : A New Functional Device with High Current Gain
- A New Functional, Resonant-Tunneling Hot Electron Transistor (RHET)
- A WSi/TiN/Au Gate Self-Aligned GaAs MESFET with Selectively Grown n^+-Layer using MOCVD
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