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Department Of Electronics School Of Engineering Nagoya University | 論文
- 高Alモル分率AlGaNへのSiドーピングによる影響(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 研磨AlN基板を用いたAlGaNの成長と評価(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- Selective Area Growth of GaN on Si Substrate Using SiO_2 Mask by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
- 金属EDTA錯体を用いたGaN系青色発光材料の合成(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 金属EDTA錯体を用いたGaN系青色発光材料の合成(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
- 金属EDTA錯体を用いたGaN系青色発光材料の合成(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
- 金属EDTA錯体を用いたGaN系青色発光材料の合成
- 減圧HVPE法による周期溝加工AlN/サファイア上へのELO-AlN(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- SiCを基板に用いた減圧HVPE法によるAlN成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 減圧HVPE法による周期溝加工AlN/サファイア上へのELO-AlN(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- SiCを基板に用いた減圧HVPE法によるAlN成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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- SiCを基板に用いた減圧HVPE法によるAlN成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Combined Oxidized Cellulose and Cyanoacrylate Glue in the Management of Severe Presacral Bleeding
- Quadratic Function Expressions and Static Structure Characteristics in Power Systems
- Derivation and Solution of Harmonic Riccati Equations via Contraction Mapping Theorem
- Crystal Orientation Fluctuation of Epitaxial-Lateral-Overgrown GaN with W Mask and SiO_2 Mask Observed by Transmission Electron Diffraction and X-Ray Rocking Curves
- Increase of Current Density of the Electron Probe by Correction of the Spherical Aberration with a Side-Entry Type Foil Lens
- 周期溝加工基板上への減圧HVPE法によるAlN成長と評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 周期溝加工基板上への減圧HVPE法によるAlN成長と評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
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