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Department Of Electronic Engineering Faculty Of Engineering The University Of Tokyo | 論文

• InGaAs/InAlAs五層非対称結合量子井戸マッハ・ツェンダー光変調器の特性改善(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• InGaAs/InAlAs五層非対称結合量子井戸マッハ・ツェンダー光変調器の特性改善(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• InGaAs/InAlAs五層非対称結合量子井戸マッハ・ツェンダー光変調器の特性改善(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• InGaAs/InAlAs五層非対称結合量子井戸マッハ・ツェンダー光変調器の特性改善(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 五層非対称結合量子井戸の作製トレランスに関する理論検討(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
• 五層非対称結合量子井戸の作製トレランスに関する理論検討(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
• 非対称三重結合量子井戸における電気光学効果(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎,及び一般)
• C-4-20 InGaAs/InAIAs五層非対称結合量子井戸マッハ・ツェンダー型光変調器(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• エレクトロニクス実装学会設立十周年を記念して(社団法人エレクトロニクス実装学会十周年記念)
• C-3-59 GaAs/AlGaAs五層非対称結合量子井戸(FACQW)光位相変調器の評価(光スイッチ・変調器,C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
• InGaAs/InAlAs五層非対称結合量子井戸の作製と光変調器への応用(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
• InGaAs/InAlAs五層非対称結合量子井戸の作製と光変調器への応用(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
• InGaAs/InAlAs五層非対称結合量子井戸の作製と光変調器への応用(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
• InGaAs/InAlAs五層非対称結合量子井戸の作製と光変調器への応用(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
• 「応用物理」創刊75周年を記念して
• Electroabsorptive Properties of InGaAs/InAlAs Five-Layer Asymmetric Coupled Quantum Well (FACQW)
• Strong Bxciton Absorption Peak Enhancement without Redshift of Absorption Edge in Al_Ga_As/GaAs Five-Step Asymmetric Coupled Quantum Well with Modified Potential
• Fabrication and Optical Characterization of Five-Layer Asymmetric Coupled Quantum Well (FACQW)
• 位相変調器用InGaAs/InAlAs五層非対称結合量子井戸の歪導入による特性改善の理論検討(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 位相変調器用InGaAs/InAlAs五層非対称結合量子井戸の歪導入による特性改善の理論検討(光部品・電子デバイス実装技術,一般)

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