スポンサーリンク

Dep. Of Electronic Engineering Feng Chia University | 論文

• The Analysis of the Floating Field Limiting Ring and Field Plate(Session6: Power Devices)
• Improvement of the Leakage by Second Thermal Oxidation Process Power Trench Gate MOSFET(Session6: Power Devices)
• Low gate leakage current HEMTs by a new airbridge gate and a liquid oxidization surface (Electron devices: 第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
• Low gate leakage current HEMTs by a new airbridge gate and a liquid oxidization surface (Silicon devices and materials: 第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
• The Study of Drain Alloy Time and Temperature for Antimony Substrate Vertical High Voltage Power MOSFETs(Session 6B Power Devices,AWAD2006)
• The Study of Drain Alloy Time and Temperature for Antimony Substrate Vertical High Voltage Power MOSFETs(Session 6B Power Devices,AWAD2006)
• High performance bottom-gated poly-Si thin film transistors employing novel extended metal-pad (Electron devices: 第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
• High performance bottom-gated poly-Si thin film transistors employing novel extended metal-pad (Silicon devices and materials: 第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
• Low switching loss power MOSFET with dual gate structure (Electron devices: 第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
• Low switching loss power MOSFET with dual gate structure (Silicon devices and materials: 第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))

• < 前のページ

スポンサーリンク