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CREST-JST | 論文
- 22aTF-2 高純度シリコンの NMR による核スピン緩和時間の測定
- 20pHV-7 Al核スピンによるナノ構造の直接観察II(20pHV 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27pTX-5 Al核スピンによるナノ構造の直接観察(27pTX 量子ホール効果/半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 23aXL-12 微小磁石による局所磁場勾配の直接観察(23aXL 量子ドット(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 19pYC-12 多重パルス列によるGa,As核スピンのT_2 II(量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 19pYC-11 多重パルス列による^SiのNMR測定II(量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20aXD-2 超伝導体Pr_2Ba_4Cu_7O_のCu-NQR測定III(高温超伝導(多層型,揺らぎ),領域8(強相関系 : 高温超伝導,強相関f電子系など))
- 26pWA-1 擬一次元CuO二重鎖伝導面における超伝導(高温超伝導(置換効果・結晶化学),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- Nanometer-Scale Patterning of Polystyrene Resists in Low-Voltage Electron Beam Lithography
- Calixarene Electron Beam Resist for Nano-Lithography
- Resolution-Limit Study of Chain-Structure Negative Resist by Electron Beam Lithography
- Fabrication of Nanomanipulator with SiO_2/DLC Heterostructure by Focused-Ion-Beam Chemical Vapor Deposition
- Direct Extraction of Sodium Negative Ions from Sodium Plasma
- Energy Distribution of Au^- Ions Produced by Sputtering
- Dependence of Au^- Production upon the Target Work Function in a Plasma-Sputter-Type Negative Ion Source
- Sub-10-nm Electron Beam Lithography Using a Poly(α-methylstyrene) Resist with a Molecular Weight of 650
- 29pWM-8 スピン梯子の量子相転移と次元クロスオーバー(量子スピン系)(領域11)
- 18pRC-9 二次元スピンギャップ系におけるボンド希釈とサイト希釈の効果の違い
- 18aRC-13 S=1反強磁性ハイゼンベルグ梯子系の基底状態
- 30pXB-6 スピンギャップをもつ擬一次元ハイゼンベルグ反強磁性体の磁場誘起量子相転移
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