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龍谷大学電子情報学科 | 論文
- TFT-OLEDの駆動方法における突抜誤差の補償方式(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- TFT-OLEDの駆動方法における突抜誤差の補償方式(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
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- フィールド順次カラーTFT-LCDの液晶応答補償のための信号補正
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- Variable-Weight Optical Orthogonal Codes Using FBG Encoders
- 薄膜トランジスタをもちいたポテンシオスタットによる電気化学測定(シリコン関連材料の作製と評価)
- [招待論文]多結晶シリコン薄膜トランジスタの電気特性解析とデバイスシミュレーション(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- D-11-100 モルフォロジカルスケルトンによる3次元形状表現(D-11. 画像工学D(画像処理・計測), 情報・システム2)
- C-2-104 ブロードサイド結合共振器を用いたBPF(C-2. マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般セッション)
- C-2-72 等方性人工誘電体を用いた共振器(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般講演)
- Pulse-Width Modulation with Current Uniformization for TFT-OLEDs(Electronic Displays)
- Device Simulation of grain Boundaries with Oxide-Silicon Interface Roughness in Laser-Crystallized Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistors
- 24.4:Investigation of Hot Carrier Degradation Due to AC Stress in Low Temperature Poly-Si TFTs(発表概要)(Report on 2000 SID International Symposium)
- C-2-84 重なり積分法および摂動法による共振器結合係数の計算(C-2. マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般セッション)
- C-2-83 内部励振による共振器の基本パラメータの計算(C-2. マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般セッション)
- C-2-121 含水率測定を目的としたマイクロストリップアンテナの試作と評価(C-2. マイクロ波C(応用装置), エレクトロニクス1)
- C-2-82 共振器の結合係数の直観的な説明(C-2. マイクロ波B(受動デバイス), エレクトロニクス1)
- Poly-Si TFTによるデバイスレベルのニューラルネットワーク : 複数回の学習とAND・OR・EXORの学習(シリコン関連材料の作製と評価)
- C-2-84 ブロードサイド結合インターディジタル共振器(C-2. マイクロ波B(受動デバイス), エレクトロニクス1)
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