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電気通信大学量子・物質工学科 | 論文
- 25aZD-11 SrTi^O_3の高周波数域におけるラマン散乱スペクトル(25aZD 誘電体,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 24pWS-4 ^C-NMRによる酸化グラファイト層間内のC_分子の運動状態の測定(24pWS 表面ダイナミクス・水素,ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26aXB-6 音叉型水晶振動子によるグラファイト基板上^4Heのスリップ現象と超流動の観測(26aXB 低次元系・液面電子,領域6(金属,超低温超伝導・密度波))
- 24aTF-8 単結晶グラファイト基板上のKr吸着膜の界面摩擦IV(24aTF 摩擦・地震・粉体,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- Al_2O_3/Si_3N_4薄層絶縁ゲートをもつチャネルドープAlGaN/GaNヘテロ構造FET(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- ジュニアテニス選手のサービス速度に影響を及ぼす要因とその性差
- de Haas-van Alphen Effect and Fermi Surface of USb
- 4-215 ディベートを活用した技術者倫理教育の成果と展望 : 問題分析・解決力を高める教育方法に対する考察((04)技術者倫理教育,口頭発表論文)
- 12aPS-70 RENi_O_3 (RE=希土類元素) 中の ^Mn NMR (II)(磁性・磁気共鳴, 領域 3)
- 22pTJ-11 RENi_Mn_O_3 (RE : 希土類元素)中の ^MnNMR
- [Invited]Npn型窒化物半導体ヘテロ接合バイポーラトランジスタ(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)
- [Invited]Npn型窒化物半導体ヘテロ接合バイポーラトランジスタ(AWAD2003(先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ))
- 選択成長を用いたGaN/InGaNヘテロ接合バイポーラトランジスタにおける高い電流利得(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 選択成長を用いたGaN/InGaNヘテロ接合バイポーラトランジスタにおける高い電流利得(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
- 選択成長を用いたGaN/InGaNヘテロ接合バイポーラトランジスタにおける高い電流利得(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 超音波実験における光散乱微粒子計測をめぐって(一般及び非線形音響)
- 光音響分光法によるCdSe量子ドットを吸着したポーラスシリコンの熱物性評価(非線形音響,一般)
- 1-04P-18 TiO_2ナノチューブ電極に吸着したCdSe量子ドットの光音響スペクトルと光励起キャリアダイナミクス(ポスターセッション 1)
- CdSe量子ドットを吸着したTiO_2ナノチューブ電極の光音響スペクトルと光電流特性(非線形・一般)
- 25p-ZL-6 広帯域波長可変単一モードパルス色素レーザー
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