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電子技術総合研究所電子デバイス部 | 論文
- ナノメ-タ-サイズSi量子細線の作製
- 30p-H-4 Si(001)3°オフ基板表面のSTM観察
- 6a-T-3 Si(111)表面のテラス・原子ステップ挙動のSTM観察
- 太陽電池用の拡散反射率測定システムの開発
- 太陽電池の拡散反射率の測定方法
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- アモルファスSi太陽電池の光特性変化と曲線因子の評価
- 30a-ZB-1 Si/Ge/Si(001)ヘテロ構造に及ぼすsurfactantの効果の電子顕微鏡観察
- 流量変調法による量子細線レーザの基底レベル発振
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- 2重ゲート構造によるMOSトランジスタの短チャネル化
- 半導体デバイスとその動向
- 固体素子コンファレンス(第2回国際会議)におけるIC関係の講演
- 原子間力顕微鏡および顕微ホトルミネセンスによるV溝形AlGaAs/GaAs量子細線の界面ラフネス評価
- 原子間力顕微鏡および顕微ホトルミネセンスによるV溝形AlGaAs/GaAs量子細線の界面ラフネス評価
- 流量変調エピタキシー法を用いたAlGaAs/GaAs量子細線の作製とその光学特性
- 量子化機能素子の概要
- 29p-C-2 RHEED振動法によるMBEの原子層成長制御
- 29p-C-5 表面敏感XAFSからみた2次元成長 : SiGe超格子を中心として
- 薄膜成長とRHEED強度振動 -RHEED振動はなぜ起こるのかー