アモルファスSi太陽電池の光特性変化と曲線因子の評価
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概要
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プラズマCVD法で作製したi層膜厚400、600nmのアモルファスSi太陽電池の光照射履歴に伴う出力特性変化の様子を調べ、等価回路モデルで解析した。その結果、曲線因子、光生成電流や直列抵抗などの値に特徴的な変化が見られた。すなわち、光照射時間が長くなるについて、i層膜厚600nmのセルは光生成電流の低下が大きく、400nmのセルはあまり変化しない。他方、直列抵抗は両セルともに増大の傾向を示した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-02-18
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