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関西学院大学理工学部物理学科 | 論文
- 22aWA-2 SiC多形の熱膨張の第一原理計算(22aWA 格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 23pYF-5 SiC多形の高温安定性の第一原理計算(格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 25pYK-2 SiC表面エネルギーの第一原理計算(格子欠陥・ナノ構造(半導体,理論,力学物性),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 25pYK-1 SiC結晶成長の第一原理計算(領域10,領域9合同(結晶成長),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 擬調和振動子近似による振動自由エネルギーの第一原理計算
- 22aWA-3 SiC表面エネルギーの第一原理計算(22aWA 格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 22aWA-1 SiC表面拡散の第一原理計算(22aWA 格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 21aXK-4 準安定溶媒エピタキシー法によるSiC単結晶作成(結晶成長,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21pTD-1 SiCの有限温度における相安定性の第一原理計算(格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション・電子論),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 21pTD-2 準安定溶媒エピタキシーにおける濃度プロファイル(格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション・電子論),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 21pTD-3 準安定溶媒法(MSE)における炭素濃度変化のシミュレーション(格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション・電子論),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- Metastable Solvent EpitaxyによるSiCの結晶成長シミュレーション
- 22aYD-2 透過型 X 線反射率による Ga/GaAs 融液成長のその場観察
- 17pWD-13 GaAs(111)BにおけるRHEED強度振動異常を用いた(2×2)→(√×√)相転移の動的解明
- 17pWD-12 GaAs(100)成長初期におけるRHEED強度振動異常の解明
- 28pYH-2 アルカリハライドマイクロクラスターにおける高速拡散現象の分子動力学シミュレーションを用いた活性化エネルギー評価(微粒子・クラスター,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 22aXB-3 マイクロクラスターの高速拡散機構II(22aXB 微粒子・クラスタ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24aTP-4 Binary Microcluster系における異性化ダイナミクスと対応する反応経路II(保存系,その他の系,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
- 25aXF-8 アルカリハライドマイクロクラスターにおける自発混晶化現象の動力学的研究(25aXF 保存系,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 25aXF-9 Binary Microcluster系における異性化ダイナミクスと対応する反応経路I(25aXF 保存系,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
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