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関西学院大・理工 | 論文
- 恵那市上矢作町の地名「海」は天正地震の堰止め湖に由来した(第20回名古屋大学年代測定総合研究センターシンポジウム平成19(2007)年度報告)
- 放射光討論会「朝まで生テレビ」 -今, 何が問題か? : 生命科学編-
- 22aWA-2 SiC多形の熱膨張の第一原理計算(22aWA 格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 23pYF-5 SiC多形の高温安定性の第一原理計算(格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 25pYK-2 SiC表面エネルギーの第一原理計算(格子欠陥・ナノ構造(半導体,理論,力学物性),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 25pYK-1 SiC結晶成長の第一原理計算(領域10,領域9合同(結晶成長),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 擬調和振動子近似による振動自由エネルギーの第一原理計算
- 析出核生成による自由エネルギーの第一原理計算
- 22aWA-3 SiC表面エネルギーの第一原理計算(22aWA 格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 22aWA-1 SiC表面拡散の第一原理計算(22aWA 格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 21aXK-4 準安定溶媒エピタキシー法によるSiC単結晶作成(結晶成長,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21pTD-1 SiCの有限温度における相安定性の第一原理計算(格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション・電子論),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 21pTD-2 準安定溶媒エピタキシーにおける濃度プロファイル(格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション・電子論),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 21pTD-3 準安定溶媒法(MSE)における炭素濃度変化のシミュレーション(格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション・電子論),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- Metastable Solvent EpitaxyによるSiCの結晶成長シミュレーション
- 2P272 FRETを利用したフォボロドプシンの光受容によるトランスデューサーの構造変化の研究(光生物 A) 視覚・光受容))
- 17 ワンポット不斉アザ電子環状反応の開発と立体化学を制御したピペリジンアルカロイド合成への展開(口頭発表の部)
- 3P057 ジスルフィド結合欠損リゾチーム線維において水素/重水素交換から保護されるペプチド領域(蛋白質(物性(安定性、折れ畳みなど)),口頭発表,第45回日本生物物理学会年会)
- 2Bp-2 チラコイド膜中のβ-カロテンの構造とその光照射による変化
- 3P050 種々の溶媒添加物存在下で残基特異的に調べられたタンパク質の非天然状態(蛋白質 C) 物性(安定性、折れたたみなど)))
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