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金沢大学工学部電気・情報工学科 | 論文
- アフィンパラメータを用いたオブジェクトベース動き補償
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- 忘却係数を持つサポートベクトルマシンの統計的解析
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- 平面配置オートマトンによる矩形領域検出回路
- LB/金属膜複合構造の電気的特性
- Poly-Siの高温アニールによる欠陥密度に対する効果
- Poly-Siの高温アニール効果 : S.G.G
- アモルファス半導体研究の30年とこれからの課題
- 非晶質半導体のギャップ中の局在状態
- 4p-D-2 アンドープa-Si:Hおよび合金薄膜における熱平衡過程
- シリコン系水素化アモルファス半導体中の構造欠陥と水素の役割
- 3p-BB-9 アモルファス半導体におけるESRとNMR
- 非晶質半導体の欠陥状態と伝導の型
- 3a-H-6 LCAO MO法によるシリコンにおけるS+ドナーの電子状態
- アモルファスシリコンの光劣化のメカニズム
- 並列巡回形回路を用いる高周波,低消費電力 FIR,IIR SC デシメーションフィルタ
- C-12-4 マルチメディア・データバス(C-12. 集積回路B(ディジタル), エレクトロニクス2)
- 放電パターンによるシール型鉛バッテリーの放電容量変化
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