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豊橋技術科学大学電気・電子情報工学 | 論文

• Si/III-V-N光電子集積回路に向けたInGaPN/GaPN量子井戸構造(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
• Si/III-V-N光電子集積回路に向けたInGaPN/GaPN量子井戸構造(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
• Si/III-V-N光電子集積回路に向けたInGaPN/GaPN量子井戸構造
• 格子整合系InGaPN/GaPの光学特性(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• 格子整合系InGaPN/GaPの光学特性(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• 格子整合系InGaPN/GaPの光学特性(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• CuInSe_2薄膜のイオン注入による不純物導入効果
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• アルカリ金属添加CuIuSe_2薄膜の構造と光学的特性
• アルカリ金属添加CuInSe_2薄膜の構造と光学的特性
• アルカリ金属添加CuInSe_2薄膜の構造と光学的特性
• AlInN混晶の成長と光学特性の評価(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
• Eu添加AlGaNの光学利得の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Eu添加AlGaNの光学利得の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Eu添加AlGaNの光学利得の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 同期検波による自動C-V Plotter
• AlInN混晶の成長と光学特性の評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• FDTD法を用いた周期的フラクタル状多層媒質の電磁波伝搬解析
• A1_2O_3(11-20)基板上へのInNへテロエピタキシャル成長
• 真空紫外光励起による半導体表面光化学反応の基礎研究

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