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豊橋技術科学大学電気・電子情報工学 | 論文
- Al_2O_3(11-20)基板上へのInNヘテロエピタキシャル成長
- 真空紫外光励起による半導体表面光化学反応の基礎研究
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- Si/III-V-N/Si構造を用いたLEDインジケータ付き1ビットカウンタ回路の製作(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- p-GaPNの発光機構と変調ドープGaAsN/GaPN高歪量子井戸への応用(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 自己形成InGaAsN/GaPN量子ドットの成長と発光特性(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- p-GaPNの発光機構と変調ドープGaAsN/GaPN高歪量子井戸への応用(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
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- 自己形成InGaAsN/GaPN量子ドットの成長と発光特性(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 光伝導度過渡応答特性を用いたGaPNの深い準位の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
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- 網膜に学んだ広ダイナミックレンジを有するエッジ検出機構のアナログ集積回路化(企画セッション : ニューロハードウェア)
- 網膜に学んだ広ダイナミックレンジを有するエッジ検出機構のアナログ集積回路化
- 9-209 高専-枝科大連携による技能を持った技術者の育成 : 高専専攻科と技科大の融合による一貫教育の実現へ((22)高大院連携,口頭発表論文)
- モノメチルシランを用いたAlGaNの伝導性制御に関する研究(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
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- カーボンナノチューブの基板面内方向における位置制御形成の検討(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- CuInSe_2薄膜の放射線照射損傷とアニール効果の検討(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- ナノ粒子ZnOを用いた色素増感太陽電池の作製と評価
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