スポンサーリンク

豊橋技術科学大学電気・電子工学系 | 論文

• Eu添加AlGaNの光学利得の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Eu添加AlGaNの光学利得の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Eu添加AlGaNの光学利得の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 希土類付活SrGa_2S_4蛍光体薄膜の発光特性
• MBE法によるInP(100)基板上のSiヘテロエピタキシー(ヘテロエピタキシー機構)
• MBE法によるInP基板上のSiヘテロエピタキシャル成長過程 : 気相成長IV
• MBE法によるGaAs基板上へのInPヘテロエピタキシャル成長 : エピタキシーII
• 高空間解像度3Dディスプレイシステムの開発 (特集 3Dディスプレイがひらく新たな世界)
• AlInN混晶の成長と光学特性の評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• LPEマクロステップと不純物不均一分布 : I. 成長誘起不純物偏析現象
• CCDを用いたpH二次元分布の画像化
• CCDを用いたpH二次元分布の画像化
• 斜めスパッタ薄膜下地層を用いたグラニュラー薄膜の軟磁性化
• 斜めスパッタFeNi膜を下地層に用いたCo-Sm-O系グラニュラー薄膜のトンネル型磁気抵抗効果
• FeNi斜めスパッタ下地層上に形成したCo-Sm-Oグラニュラー薄膜の磁気抵抗効果
• FeNi斜めスパッタ下地層上に形成したCo-Sm-Oグラニュラー薄膜の磁気抵抗効果
• FeNi斜めスパッタ下地層上に形成したCo-Sm-Oグラニュラー薄膜の磁気抵抗効果
• FeNi斜めスパッタ下地層上に形成したCo-Sm-Oグラニュラー薄膜の磁気抵抗効果
• 斜めスパッタFeNi下地層を用いたグラニュラーTMR薄膜の特性
• 2素子エスパアンテナの指向性可変性能の素子長・素子間隔依存性(アダプティブアンテナ,等化,干渉キャンセラ,MIMO,無線通信,一般)

• < 前のページ
• 次のページ >

スポンサーリンク