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豊橋技術科学大学電気・電子工学系 | 論文
- 下等動物の視覚系に学んだ物体の接近検出および形状認識機能の集積回路化
- 網膜における視覚情報処理機構に基づくアナログネットワークの構築と検討(アナログ・デジアナ・センサ, 通信用LSI)
- 網膜に学んだエッジ検出アナログ回路における素子特性のばらつきによる誤動作の改善(アナログ・デジアナ・センサ, 通信用LSI)
- 網膜における視覚情報処理機構に基づくアナログネットワークの構築と検討
- 網膜に学んだエッジ検出アナログ回路における素子特性のばらつきによる誤動作の改善
- ターシャリーブチルヒドラジンを窒素源としたGaNのガスソースMBE成長 : エピタキシャル成長I
- 低雑音センサインターフェース回路に向けた JFET 混載 CMOS 技術
- CMOSとの集積化に適したJFET素子と低雑音増幅回路の形成(アナログ・デジアナ・センサ, 通信用LSI)
- CMOSとの集積化に適したJFET素子と低雑音増幅回路の形成
- センサインターフェースに適したJFET-CMOS混載型低雑音増幅器の形成
- Si/III-V-N/Si構造を用いたLEDインジケータ付き1ビットカウンタ回路の製作(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- インテリジェントヒューマンセンシングチップ (特集 ユビキタス生体計測)
- p-GaPNの発光機構と変調ドープGaAsN/GaPN高歪量子井戸への応用(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 自己形成InGaAsN/GaPN量子ドットの成長と発光特性(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- p-GaPNの発光機構と変調ドープGaAsN/GaPN高歪量子井戸への応用(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
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- 自己形成InGaAsN/GaPN量子ドットの成長と発光特性(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 光伝導度過渡応答特性を用いたGaPNの深い準位の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 光伝導度過渡応答特性を用いたGaPNの深い準位の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
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