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豊橋技術科学大学第3工学系 | 論文
- 低エネルギーInGa-FIBによるIn_xGa_Asのマスクレス選択成長
- 低エネルギーInGa-FIBによるIn_xGa_Asのマスクレス選択成長
- ヘテロエピタキシャル成長の成長初期制御による結晶欠陥の抑制
- (5)半導体集積回路の社会人教育(第2セッション 社会人技術者のリフレッシュ教育(II))
- 歪短周期超格子の挿入によるInP-on-Siの貫通転位密度の低減
- (GaAs)_m(GaP)_n歪短周期超格子の格子緩和過程
- 高温熱アニールによるGaAs on Siの転位密度低減効果
- 半導体液相成長モルフォロジーの実験的理論的研究(結晶のモルフォロジー)
- O_2ドープしたInP LPE層の電気的特性と表面モルホロジー
- 液相成長結晶表面にあらわれる波もよう(3)
- 水平ブリッジマン法によるInPの結晶成長 : O_2ドープ実験 : 結晶評価
- InPLPEにおけるメルトの熱処理効果 : エピタキシー
- 液相成長波もようのmiss orientation効果
- MBE法によるGaP基盤上へのGaAs成長
- 光電子適応シナプス結合デバイスと学習機能
- TMGa-TEAs-DEAsH原料を用いたCドープGaAsのMOVPE成長 : 気相成長I
- 単結晶のTiC, ZrC電界放射基本特性
- タイトル無し
- ジエチルアルシンを用いたGaAsのMOVPE 成長