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豊橋技術科学大学第3工学系 | 論文
- InP meltbackの理論的考察 : ホイスカー・基礎
- 液相成長のmacrostep morphology : マイクロモルフォロジー
- InP液相エッチングとモルフォロジー : ホイスカーとモルフォロジー
- 過飽和度による液相成長結晶表面の波もよう変化 : 基礎的考察
- 液相成長結晶表面波もようの理論的検討 : 基礎的考察
- 低加速集束イオンビーム薄膜形成装置の開発とミクロ領域結晶成長への応用
- MBE法によるInP(100)基板上のSiヘテロエピタキシー(ヘテロエピタキシー機構)
- MBE法によるInP基板上のSiヘテロエピタキシャル成長過程 : 気相成長IV
- MBE法によるGaAs基板上へのInPヘテロエピタキシャル成長 : エピタキシーII
- LPEマクロステップと不純物不均一分布 : I. 成長誘起不純物偏析現象
- LPE GaPのマクロステップにおける窒素原子不均一分布の測定 : エピタキシー
- ターシャリーブチルヒドラジンを窒素源としたGaNのガスソースMBE成長 : エピタキシャル成長I
- 低エネルギー集束イオンビームを用いたGaAsのマスクレス選択成長におけるドーピングと評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 低エネルギー集束イオンビームを用いたGaAsのマスクレス選択成長におけるドーピングと評価(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
- 低エネルギー集束イオンビームを用いたGaAsのマスクレス選択成長におけるドーピングと評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 低エネルギー集束イオンビームを用いたInGaNのマスクレス選択成長 : エピタキシャル成長II
- 低エネルギーGa-FIBとDMHyを用いたGaNのマスクレス選択成長
- 低エネルギーGa-FIBとDMHyを用いたGaNのマスクレス選択成長
- 低エネルギーGa-FIBとDMHyを用いたGaNのマスクレス選択成長
- 低エネルギーInGa-FIBによるIn_xGa_Asのマスクレス選択成長