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筑波大学物理工学系 | 論文
- デバイス・シミュレーションとその物理
- 不純物に起因するポテンシャル揺らぎの電子移動度への影響
- Influence of Thermal Noise on Drain Current in Very Small Si-MOSFETs
- Influence of Intrinsic Current Fluctuation in Very Small Si-MOSFETs
- Current Fluctuation Characteristic of Sub-0.1 Micron Device Structures:A Monte Carlo Study
- 微細デバイスにおける電流ゆらぎシミュレーションのデバイス・サイズ依存性
- 微細デバイスにおける電流ゆらぎシミュレーションのデバイス・サイズ依存性
- 微細デバイスにおける電流ゆらぎシミュレーションのデバイス・サイズ依存性
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- Si基板上へのGaAs成長の初期過程
- 高繰り返し全固体自己誘導Nd^ : KGd(WO_4)_2ラマンレーザー
- 27pXS-1 面共有及び頂点共有一次元有機無機ペロフスカイト半導体の光伝導(低次元物質)(領域5)
- 22aTA-7 頂点共有一次元ペロフスカイト型半導体 [NH_2C(I)=NH_2]_3PbI_5 の光学的性質 II
- 医療用や産業用として人体や材料の内部を可視化する MRI装置のしくみとそのRF技術 (特集 地球リモート・センシング/地中レーダ/地震予知/医療用MRIなど 電波科学への誘ない)
- 28p-G-2 極微細デバイス構造のもとでの電流ゆらぎのシミュレーション解析II
- 確率セルオートマタモデルによる時空間地震活動パターン
- 粘弾性体への破壊をともなった流体浸入-地球惑星科学における流体移動現象への応用-
- 地震と破壊実験とフラクタル(基研研究会「非可逆な多体系への統計物理及びその周辺分野からのアプローチ」報告,研究会報告)
- 極超短波長X線回折法によるC(ダイヤモンド)、Si、Ge、Fe_3O_4などの電子密度分布解析
- 27pRA-8 実験データに基くクラスター誘起2次電子放出のモデル(27pRA 放射線物理(クラスター・二次粒子放出),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))