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筑波大学物理学系・計算物理学研究センター | 論文
- 24aRA-11 ナノグラファイトのエネルギー論 : 端形状と電子状態(グラファイト・グラフェン,領域7,分子性固体・有機導体)
- 22aYD-7 金属, 半導体表面における非局在表面状態
- 28aT-8 メチル基で終端されたGaAs表面の第一原理計算
- 8a-S-5 希土類系酸硫化物中の格子欠陥の電子構造計算
- 31a-E-1 希土類系酸硫化物中の点欠陥の電子構造計算
- 希土類系酸硫化物の電子構造計算
- Siダングリングボンドネットワークにおける磁性の理論
- 30aWE-5 密度汎関数理論に基づくポリグリシンおよびチトクロム酸化酵素の電子構造(生物理一般)(領域12)
- 第一原理計算によるZrB_2基板上GaNエピタキシャル成長の理論的研究(ナノ構造・エピ成長分科会特集「窒化物半導体エピタキシャル成長における基板の役割」の再考)
- SiO_2中のB拡散の第一原理計算(極薄ゲート絶縁膜・シリコン界面の評価技術・解析技術)
- 19aXA-5 トポロジカルな線状欠陥を持つナノチューブの電子構造とエネルギー論(ナノチューブ電子物性・構造,領域7(分子性固体・有機導体))
- 22aXF-12 C_-peapod の電子状態と安定性
- 29aZB-10 ピーポッドの安定性と電子状態
- 28aUA-6 フラーレン内包が誘起するナノチューブRBMシフト(28aUA ナノチューブ光物性II,領域7(分子性固体・有機導体))
- 22aXA-14 アルカリドープpeapodの電子構造とエネルギー論(フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
- 24aYN-6 金属表面上に吸着されたナノチューブの電子構造(ナノチューブ物性1(電子物性・構造他),領域7(分子性固体・有機導体))
- 29aZB-9 空隙充填によるチューブ電子構造制御
- 25pWD-15 BN-グラファイト界面における強磁性状態
- 27pW-5 Si(001)面上のGa細線による強磁性状態
- 26p-P-1 水素化シリコン表面 : 拡散と動的過程