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神奈川工科大学工学部 | 論文
- 1-06P-38 犠牲層プロセスによるSAW素子の局所的パッケージング(ポスターセッション 1)
- 1-05P-34 犠牲層エッチングによるCMUT作製技術に関する検討(ポスターセッション 1)
- 2軸方向磁場測定用ホール素子および磁場可視化システムの開発(その1)
- P2-10 SAW-Semiconductor UV Sensor Using GaN Film(Short oral presentation for posters)
- n^+GaN/undoped GaN構造上に作成された表面弾性波デバイス特性(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- n^+GaN/undoped GaN構造上に作成された表面弾性波デバイス特性(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- PF6 SAW用水晶基板表面の微視的構造評価(ポスターセッション3)
- CF4プラズマエッチングプロセスにおける残差物の除去法について
- PC5 CF4プラズマエッチングプロセスに於ける残査物(ポスターセッション3-概要講演・展示)
- PB-17 パルス位置変調を加えた直接拡散SS通信方式用SAW素子(P.ポスターセッションB-概要講演・展示)
- フッ素化ポリイミド材料のSAW素子への適用
- PC23 弾性表面波多相位相変復調回路(ポスタセッションC-概要講演・展示)
- 論文特集号「人と関わるシステムインテグレーション」について
- 原子層積層法による六方晶バリウムフェライト薄膜の作製
- 原子層積層法による六方晶バリウムフェライト薄膜の作製
- 原子層積層法による六方晶バリウムフェライト薄膜の作製
- S層R層交互積層膜の熱処理によるBaフェライト薄膜の作製
- 原子層成長法によるC軸配向Baフェライト薄膜の作製
- 原子層成長法によるC軸配向Baフェライト薄膜の構造と磁気特性
- 独り言を声音に