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神奈川工科大学工学部 | 論文
- K_2NiF_4型La_Sr_xMnO_の合成と電気的性質
- ホールドープしたSr_La_CrO_の電子伝導性
- Sr_La_CrO_4における電気伝導性と電子状態
- マイクロ波誘電体の物性を律する因子
- GaN上SAW素子の紫外線応答(圧電デバイス・材料, 強誘電体材料, 有機エレクトロニクス, 一般)
- GaNエピタキシャル薄膜による高周波弾性波素子の検討(圧電デバイス・材料, 強誘電体材料, 有機エレクトロニクス, 一般)
- GaN上SAW素子の紫外線応答(圧電デバイス・材料, 強誘電体材料, 有機エレクトロニクス, 一般)
- GaNエピタキシャル薄膜による高周波弾性波素子の検討(圧電デバイス・材料, 強誘電体材料, 有機エレクトロニクス, 一般)
- MEMSによるセンシングシステム構築のための一検討(圧電デバイス材料 強誘電材料 一般)
- 圧電体上の構造体を利用した機能デバイスに関する検討(圧電デバイス材料 強誘電材料 一般)
- MEMSによるセンシングシステム構築のための一検討(圧電デバイス材料 強誘電材料 一般)
- 圧電体上の構造体を利用した機能デバイスに関する検討(圧電デバイス材料 強誘電材料 一般)
- 431 切欠きを有するC/C複合材料の衝撃破壊挙動(複合材料の力学と破壊,学術講演)
- 2P3-8 対面張り合わせによるモード結合SAW素子に関する基礎検討(ポスターセッション)
- 2P3-7 AlGaN/GaN弾性波共振器に関する基礎検討(ポスターセッション)
- 1P5-9 埋め込み形電極構造を用いたAlGaN/GaN素子(ポスターセッション)
- 1P5-6 表面張り合わせによるSAW素子の基礎検討(ポスターセッション)
- 電荷転送効果によるGaN紫外線センサーに関する基礎検討
- 超音波デバイス cMUT作製のためのCr犠牲層エッチング技術
- 1-06P-40 AlGaN/GaNフィルム素子における可変特性(ポスターセッション 1)
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