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神奈川大学工 | 論文
- C-6-8 SiドープによるMOVPE成長InSb薄膜の電気的特性の改善(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- C-6-14 MOVPE法による界面へのSiドープInSb薄膜の結晶成長と評価(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-9 サファイア基板上SiドープInSbの電気的特性(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- マイクロ熱電発電素子に関する研究
- C-6-10 InSb系熱電発電および熱電冷却デバイスの作製と評価(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- C-6-8 III-V族化合物半導体熱電デバイス(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- C-6-13 InSb薄膜熱電特性のキャリア濃度依存性(C-6.電子部品・材料,エレクトロニクス2)
- C-6-11 直列形サンドイッチ構造ペルチェ素子の作製と温度制御評価(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-4 絶縁基板上InSb薄膜の電気的特性(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- 電子ビーム蒸着法およびスパッタ法によるBi_xTe_y系合金薄膜の作製と評価
- C-6-8 直列サンドイッチ構造ペルチェ素子の温度制御(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-5 MOVPE法InSb薄膜の電気的特性に与えるバッファ層の影響(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-2 GaAs基板上のMOVPE法成長InSb薄膜の電気的特性における界面Siドープの影響(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-6 MOVPE法成長InSb薄膜の電気的特性における界面Siドープの影響(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-2 サンドイッチ構造ペルチェ素子の温度制御評価(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-12 数値計算によるInSbの熱電特性(C-6.電子部品・材料,エレクトロニクス2)
- 点接触型ペルチェ素子の先端温度過渡特性
- C-6-3 バッファを用いたMOVPE法成長InSb薄膜の電気的特性の温度依存性(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-13 MOVPE成長InSb薄膜におけるInAsSbバッファ層の効果(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-12 MOVPE法による界面へのSiドープInSb薄膜の作製と電気的特性の温度依存性(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
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