スポンサーリンク
神奈川大学工 | 論文
- C-6-13 MOVPE法によるInAsSbバッファ層を用いたInSb薄膜の熱電特性(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-7 InAsSb焼結体の熱電特性(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- C-6-6 EB法によるBi_XTe_y-Sb混晶薄膜の電気的特性(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- 展示会に出展して : テクノトランスファーかわさき(外部イベント,創刊30周年記念号)
- AlNおよびAlInN系ナイトライドの成長と物性(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- AlNおよびAlInN系ナイトライドの成長と物性(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状、及び一般)
- 有機金属気相成長法InSb薄膜の電気的特性に与えるバッファ層の影響
- 有機金属気相成長法InSb薄膜の電気的特性に与えるバッファ層の影響
- C-6-2 MOVPE法を用いたInSbTe系薄膜の作製と評価(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-6 InSbTe薄膜の作製と評価(C-6.電子部品・材料,一般セッション)