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独立行政法人産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター | 論文
- SiC埋め込みゲートSITのチャネル設計の検討 (第20回 SIデバイスシンポジウム講演論文集)
- 埋込ゲート型SiC-SIT(BGSIT)の設計・試作及び電気特性評価
- 超低損失埋込ゲート型SiC-SIT(BGSIT)の開発 (第19回 SIデバイスシンポジウム講演論文集)
- 埋め込みゲート型SiC-SITの特性と負荷短絡シミュレーション (第18回 SIデバイスシンポジウム講演論文集)
- 産業技術総合研究所におけるSiC素子の最近の進展(Group IV Compound Semiconductors, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
- 産業技術総合研究所におけるSiC素子の最近の進展(Group IV Compound Semiconductors, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
- SiCショットキーバリアダイオードの高di/dtスイッチング特性
- 4.3mΩcm^2, 1100VノーマリオフSiC IE-MOSFET
- 2.7mΩcm^2, 700Vを有する4H-SiC C面IEMOSFET
- 4.3mΩcm^2, 1100VノーマリオフSiC IE-MOSFET
- パワーエレクトロニクス分野の新しい息吹 (創刊88周年記念特集 わが国産業技術の再生を目指す)
- 昇華法によるSiC単結晶成長とその場観察(バルク成長分科会特集 : 結晶成長の科学と技術)
- 日本におけるSiC研究開発の現状と展望(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
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- 新規半導体(SiC,GaN)のパワーエレクトロニクスへの展開
- SiCパワーデバイス実用化へのシナリオ