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物質・材料研究機構計算科学センター | 論文
- 19pPSB-34 励起状態グラファイトのE_フォノンに関する理論的研究(ポスターセッション,領域5,光物性)
- 25pYK-10 シリコン中原子空孔の大規模第一原理計算(格子欠陥・ナノ構造(半導体,理論,力学物性),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 21aRB-11 シリコン中単原子空孔の構造に関する第一原理計算(21aRB 格子欠陥・ナノ構造(半導体・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 小特集「新時代に対応した新しい材料教育」 : 企画にあたって
- シリコン表面上の半金属Bi超薄膜の同素変態
- 26aWZ-11 シリコン10原子空孔の大規模第一原理計算(26aWZ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
- 24aPS-106 金属電極に挟まれた1次元分子列の電気伝導特性(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24aPS-102 ファンデルワールス密度汎関数を用いた1次元鎖状有機物質の第一原理計算(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- Pt(111)表面に吸着したNO分子の振動スペクトル : 第一原理計算による解析
- 計算機シミュレーションのリアリティ
- 22pPSA-11 有機自己組織化膜絶縁層とゲート電極界面電子状態(22pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21pTG-4 オーダーN法第一原理計算によるGe/Si(001)3次元構造の安定性に対する研究(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- フェーズフィールド法とCALPHAD法の連携について (特集 状態図と組織のコンピューターシミュレーション)
- フィレットリフティングはなぜ起こるのか (特集 電子デバイス実装における鉛フリー化の最新動向)
- 21pWA-12 第一原理手法による圧電物性解析(電子系,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
- 29pXJ-8 Si(001)/SrTiO_3界面のバンド不連続に関する研究(29pXJ 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 30pYA-2 第一原理計算によるアモルファスHfAlOの誘電応答解析(30pYA 誘電体,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- ゲート絶縁膜材料の誘電率の第一原理計算 : 電子系及び格子系の誘電応答解析(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
- 12aTJ-7 立方晶 Ce_2O_3 の格子誘電率の第一原理計算(フォノン物性, 領域 10)
- 29pXK-1 Ce酸化物の誘電率の第一原理計算(誘電体)(領域10)
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