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物材機構:筑波大 | 論文
- Tight-binding分子動力学法を用いたSi表面の酸化過程におけるSiOの脱離挙動
- シリコン表面の酸化反応ポテンシャル曲面の計算
- プラズマ酸窒化中のシリコン表面応力変動
- 電子照射によるシリコンの表面応力の緩和
- クリプトン酸素混合プラズマによるシリコン酸化中の表面応力変動
- 30aXE-8 欠陥による表面応力の発生とその電子誘起緩和
- ドデカンチオールの脱離に伴う微少応力の変動
- プラズマ酸化過程におけるSiの表面応力の研究
- 26p-YR-16 バイアスを印可したプラズマ酸化過程におけるSi表面応力の研究II
- 26p-YR-15 バイアスを印可したプラズマ酸化過程におけるSi表面応力の研究I
- 19pWH-6 Ultrafast Electron/Phonon Dynamics in Carbon Materials(Atom Dynamics and Formation of Nano-objects by Electronic Excitations)
- 26aWB-8 ビスマスのコヒーレントA_およびE_gフォノンの温度依存性(26aWB 超高速現象,領域5(光物性))
- 21aYD-6 金属Znにおけるコヒーレント光学フォノンの温度依存性(超高速現象・格子振動・緩和励起子,領域5(光物性))
- 半金属・半導体のコヒーレントフォノン : 緩和ダイナミクスへのイオン照射誘起欠陥の影響
- 24pRB-15 κ-(BEDT-TTF)_2Cu(NCS)_2における超伝導の異方性(24pRB 領域7,領域8合同 モット転移,領域7(分子性固体・有機導体))
- 25aWH-7 圧力誘起超伝導体EuFe_2As_2の強磁場磁気抵抗(25aWH 鉄砒素系超伝導(圧力効果・磁場侵入長),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 24pRB-15 κ-(BEDT-TTF)_2Cu(NCS)_2における超伝導の異方性(24pRB 領域7,領域8合同 モット転移,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 28pYA-2 n-GaAsにおけるコヒーレントフォノン生成及び緩和への格子欠陥の影響
- コヒーレントフォノン分光によるイオン照射材料研究
- パルス高電圧に伴うグロー放電を利用したプラズマイオン注入による炭素膜の作製