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沖電気工業研究開発本部 | 論文
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- 直接ボンディングによる3次元光配線
- 高相互コンダクタンスを有するSic基板上のリセスゲートAlGaN/GaN-HEMT(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 高相互コンダクタンスを有するSiC基板上のリセスゲートAlGaN/GaN-HEMT(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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- 高相互コンダクタンスを有するSiC基板上のリセスゲートAlGaN/GaN-HEMT
- AlGaN/GaN HEMTの高周波特性
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- Siレンズを用いた低コストFTTH用μBOSAチップ (メカトロニクス・生産技術特集)
- 赤発色ジアゾニウム塩の開発と光定着型記録媒体への応用
- AlGaN/GaN-HEMT特性におけるパッシベーション膜の影響(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
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- 高い相互コンダクタンスを有するリセスゲート窒化物半導体FET
- 光磁気ディスク
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