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株式会社富士通研究所 Cプロジェクト部 | 論文
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- 低待機時消費電力、90-nm、Hf02ゲート絶縁膜 MOSFET
- HfO_2ゲート絶縁膜特性の前処理依存性
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- 極薄イットリウムアルミネート絶縁膜の物性及び電気的特性評価
- New Electrically Thinned Intrinsic-Channel SOI MOSFET with 0.01 μm Channel Length
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