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松下電子工業(株) 京都研究所 | 論文
- MOS単板カラー撮像素子
- 強誘電体薄膜作製技術とデバイス応用
- 3V駆動でアクセス時間100nsの256Kb強誘電体不揮発性メモリ
- 新メッシュ構造および裏打ちめっき層による電源配線技術(配線・実装技術と関連材料技術)
- アセンブリ応力によるトランジスタ特性変動定量化技術と応力緩和構造(シリコン関連材料の作製と評価)
- 0.18umFeRAM混載システムLSI(新型不揮発性メモリー)
- 2V/100ns 1T/1C強誘電体メモリアーキテクチャー
- 1/4型33万画素-全回素読み出しCCD
- 8)1/4型33万画素全画素読出し方式CCD撮像素子(情報入力研究会コンシューマエレクトロニクス研究会合同)
- 1/4型33万画素全画素読み出し方式CCD撮像素子
- 502(V)×600(H)FIT-CCD撮像素子(固体撮像技術)
- 4-17 502(V)×600(H) FIT-CCD撮像素子
- 3-6 CCD撮像素子の電子シャッター駆動の検討
- 4)502(V)×600(H)FIT-CCDの撮像素子([テレビジョン方式・回路研究会テレビジョン電子装置研究会]合同)
- 502(V)X600(H)FIT-CCD撮像素子
- 5)小型CCD撮像素子([テレビジョン方式・回路研究会(第109回)テレビジョン電子装置研究会(第140回)]合同)
- 4-11 新構成の固体撮像素子による単板式カラーカメラ
- 2-10 CPD撮像素子の雑音
- 5-4 CPD単板カラーカメラ
- 1)MOS単板カラー撮像素子(テレビ用固体撮影デバイスの現状)(テレビジョン電子装置研究会(第79回))