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松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター | 論文
- 第一原理計算によるGaInAsNおよびGaAsSbNの物性比較
- EBSD法によるAlGaN/GaNヘテロ構造の深さ方向歪み解析(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- In-situ SiNをゲート絶縁膜に用いたAlGaN/GaN MIS-HFET(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 2.5Gcpsスペクトル拡散変調を用いた26GHz帯自動車用短距離UWBレーダ(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 格子整合系六方晶InAlGaN四元混晶の禁制帯幅とボウイング定数(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 分布ブラッグ反射型半導体レーザーと導波路型波長変換素子を用いた高出力SHG青紫色レーザー
- サファイア基板上準ミリ波帯AlGaN/GaN MMIC
- サファイア基板へのビアホールを用いた10400V耐圧AlGaN/GaN HFET
- CS-9-6 サファイア基板へのビアを用いた10400V耐圧AlGaN/GaN HFET(CS-9. ワイドギャップ半導体電子デバイスの現状と今後の展開,シンポジウムセッション)
- C-10-14 サファイア上マイクロストリップ線路を用いた準ミリ波帯AlGaN/GaN MMIC(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
- 10400V耐圧AlGaN/GaN HFET(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- AlGaN/GaN Power Transistors for power switching applications(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- C-10-15 伝導度変調を利用したノーマリオフAlGaN/GaNトランジスタ(C-10.電子デバイス,一般講演)
- ホール注入型低オン抵抗ノーマリオフAlGaN/GaNトランジスタ(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- AlGaN/GaN HFETにおけるAlNパッシベーションの効果(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- AlGaN/GaN HFETにおけるAlNパッシベーションの効果
- C-10-13 AlGaN/GaN HFETにおけるAlNパッシベーションの効果(C-10.電子デバイス,一般講演)
- C-10-11 無極性a面AlGaN/GaNヘテロ接合におけるシートキャリア濃度制御(C-10.電子デバイス,一般講演)
- パワースイッチングシステム応用に向けてのAlGaN/GaNデバイス
- 無極性(11-20)面上に形成されたAlGaN/GaNヘテロ接合トランジスタのノーマリオフ動作(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)