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東理大・理 | 論文
- 23aB12 シリコンカーバイドCVD過程における2サイト競合吸着モデル(エピタキシャル成長II)
- 26a-P-5 モノメチルシランを用いたRFプラズマCVD法によるシリコンカーバイド膜の生成機構
- 熱重量天秤を用いたシリコンカーバイドCVD過程の成長モデルII : 気相成長III
- MTSを用いたCVD法によるSiC薄膜の配向性 : 気相成長III
- モノメチルシランを用いたRFプラズマCVD法によるシリコンカーバイドの成膜 : 気相成長III
- 30p-YE-2 RFプラズマCVD法によるMTSからのシリコンカーバイド膜生成過程の発光分光
- 熱重量天秤を用いたシリコンカーバイドCVD過程の成長モデル
- MTS(CH_3SiCl_3)を用いたシリコンカーバイドのRFプラズマCVD過程の発光分光
- 1p-Z-10 NbC(111)-CO吸着面の角度分解光電子分光
- 1p-E-3 Si 単結晶中の不純物原子の析出 (III)
- 9a-D-7 Si単結晶中の不純物原子の析出(II)
- 5a-E-4 Si単結晶中の不純物原子の析出
- バナナゾウムシの集合フェロモンであるソルジジンの両鏡像体の合成 : 有機化学・天然物化学
- 22pB10 ITOひげ結晶のVLS成長機構(気相成長IV)
- 1p-KL-9 変形したAl中の点欠陥のステージIIにおける回復
- トーラス上に拘束された粒子の量子論
- 閉じた一般のp-braneに対するKalb-Ramond作用
- CSL界面エネルギーに関する一考察 : 基礎IV
- 2C03 α-シアノスチルベンをメソゲン基とする低分子化合物の液晶性
- 2D07 ラマン分光法による非イオン界面活性剤のコンホメーション解析