スポンサーリンク
東北大学 電気通信研究所 | 論文
- C-11-6 Floating Channel type SGT(FC-SGT)フラッシュメモリにおけるカップリング比の柱半径依存性
- C-11-4 Multi-Pillar Surrounding Gate 型 MOSキャパシタの試作プロセス
- C-11-3 Surrounding Gate Transistor における基板バイアス効果の拡散層形状依存性
- C-11-1 高電流利用効率を実現したCMOS降圧回路の直流特性
- ULSI用超低消費電力CMOS降圧回路
- A Stacked-Surrounding Gate Transistor(S-SGT)Structured Cellを用いた新しい高密度フラッシュメモリ
- SGTの基板バイアス効果を抑制させる拡散層形状に関する解析
- C-11-6 Surrounding Gate Transistorにおける基板バイアス効果を抑制するためのりソース・ドレインエンジニアリング
- C-11-5 0.4μmMOSプロセス技術を用いたMUlti-Pillar Surrounding Gate型 MOS キャパシタ
- C-11-4 Floating Channel type SGT (FC-SGT)フラッシュメモリにおける書込・消去特性のフローティングゲート膜厚依存性
- C-11-2 超低消費電力降圧回路の試作
- Surrounding Gate Transistor(SGT)における基板バイアス効果を抑制するための新しいソース・ドレインエンジニアリング
- 0.4μmMOSプロセス技術を用いたMulti-Pillar Surrounding Gate型MOSキャパシタ
- 5nm以下の均一なゲート酸化膜形成のためのSiウェハ搬入条件
- 5nm以下の均一なゲート酸化膜形成のためのSiウェア搬入条件
- C-11-10 Double Gate MOSFETの新しい構造と試作プロセスの提案
- C-11-9 超低消費電力を指向したオンチップ用CMOS降圧回路
- C-11-7 高信号を実現する三次元階層型メモリアレイ技術を用いたStacked-SGT DRAM
- C-11-6 Floating Channel type SGT(FC-SGT)フラッシュメモリにおける書込・消去特性の柱半径依存性
- C-11-5 高集積化を実現するFloating Channel type SGT(FC-SGT)Flashメモリセルのビットライン形成法